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原文传递一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片

专利名称：	一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片
摘要：	本发明公开了一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片，包括从上至下依次叠压的第一至第五层膜片，第一至第三层膜片均为YSZ膜片，第四层膜片和第五层膜片为Al₂O₃膜片，第三层膜片和第四层膜片之间叠压有过渡层，所述过渡层由上过渡层、中间过渡层、下过渡层从上至下依次叠压而成，上过渡层、中间过渡层、下过渡层均为采用流延成型工艺制备的掺Al₂O₃的YSZ膜片，其中上过渡层的主体材料中Al₂O₃的掺杂量为15％～25％，中间过渡层的主体材料中Al₂O₃的掺杂量为40％～55％，下过渡层的主体材料中Al₂O₃的掺杂量为75％～85％。本发明膜片之间的烧结匹配性良好，明显提高了加热器层的绝缘性能，无漏电现象。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安创联电气科技（集团）有限责任公司
发明人：	韩领社;李照;皇晓辉;殷春民;孙卫龙
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810647169.4
公开号：	CN108872482A
代理机构：	西安永生专利代理有限责任公司 61201
代理人：	高雪霞
分类号：	G01N33/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/00
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区电子工业园电子西街3号
主权项：	1.一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片，包括从上至下依次叠压的第一层膜片(1)、第二层膜片(2)、第三层膜片(3)、第四层膜片(5)以及第五层膜片(6)，第五层膜片(6)上通过丝网印刷技术印刷有加热电极(7)，第一层膜片(1)、第二层膜片(2)、第三层膜片(3)均为YSZ膜片，其特征在于：所述第四层膜片(5)和第五层膜片(6)为Al2O3膜片，第三层膜片(3)和第四层膜片(6)之间叠压有过渡层(4)，所述的过渡层(4)由上过渡层(4‑1)、中间过渡层(4‑2)、下过渡层(4‑3)从上至下依次叠压而成，上过渡层(4‑1)、中间过渡层(4‑2)、下过渡层(4‑3)均为掺Al2O3的YSZ膜片，所述掺Al2O3的YSZ膜片由下述质量百分比的流延浆料采用流延成型工艺制备而成：主体材料60％～70％、粘接剂3％～10％、增塑剂3％～10％、分散剂1％～10％、有机溶剂18％～30％、除泡剂0.1％～0.5％、均化剂0.5％～1％，其中上过渡层(4‑1)中主体材料的质量百分比组成为：YSZ 75％～85％、Al2O3 15％～25％，中间过渡层(4‑2)中主体材料的质量百分比组成为：YSZ 45％～60％、Al2O3 40％～55％，下过渡层(4‑3)中主体材料的质量百分比组成为：YSZ 15％～25％、Al2O3 75％～85％。
所属类别：	发明专利