专利名称: |
一种太阳能硅片加工切割方法 |
摘要: |
本发明公开了一种太阳能硅片加工切割方法,包括如下步骤:将硅块置于切片机床的切割钢线上方,还需保证切割钢线与硅块相互垂直,利用切片机床控制切割钢线移动,从而能够对硅块进行切割,在切割中,需实时利用浆料嘴向硅块表面喷洒切割液,需保证切割温度始终保持在25‑100摄氏度之间,在完成切割后,利用机械手将硅片取出,待其恢复至常温后,将其置于检测平台,并在30‑36摄氏度的条件下对硅片进行检测本发明能够减少对硅块的不良影响,还能够保证在切割过程中的润滑性能,有效降低了残次品的产生,进而提高了硅块的切割质量以及效率。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
浙江;33 |
申请人: |
浙江海顺新能源有限公司 |
发明人: |
季丽;王松华;聂海洲;余志兵 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810414394.3 |
公开号: |
CN108568914A |
代理机构: |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人: |
翟羽 |
分类号: |
B28D5/04(2006.01)I;B28D7/02(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D7;B28D5/04;B28D7/02 |
申请人地址: |
325000 浙江省温州市经济技术开发区滨海十二路500号 |
主权项: |
1.一种太阳能硅片加工切割方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:选择待切割的硅块以及切片机床,并对硅块表面进行全方位清洗,且清洗温度30‑36摄氏度,在硅块表面无残胶且中间夹缝处无异物后,即完成对硅块的清理;S2:还需将切片机床内部清理进行清理,清洗具体为喷洗处理,且喷洗的水压3‑6MPa,对其的喷洗时间为12‑15min,以去除切片机床内部的灰尘以及残留杂质,若是切片机床内部还存在杂质,则继续清理,直到其内部无杂质,从而能够保证切割的质量;S3:将S1中处理后的硅块置于S2中切片机床的切割钢线上方,并将硅块的位置进行限定,以避免其在切割过程中晃动,影响切割质量,还需保证切割钢线与硅块相互垂直,利用切片机床控制切割钢线移动,从而能够对硅块进行切割,需要对硅块是否切透进行判断,切透时线网从入线口到出线口基本成一条直线,没有一次明显出现低凹,同时可与调整对比线网对比,线网与其平行;S4:在切割中,需实时利用浆料嘴向硅块表面喷洒切割液,且切割液需实时与切割钢线接触,需保证切割温度始终保持在25‑100摄氏度之间,若是温度过高,则需对其进行降温处理,需保证一次切割成功,中间不能够停机;S5:在S3中完成切割后,切片机床自动报警,然后利用机械手将硅片取出,待其恢复至常温后,将其置于检测平台,并在30‑36摄氏度的条件下对硅片进行检测,完成检测后,将切割完成的硅片平稳放在取片车上,运输至下个工序。 |
所属类别: |
发明专利 |