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基于谱线自吸收量化的激光诱导等离子体参数表征方法
| 专利名称： | 基于谱线自吸收量化的激光诱导等离子体参数表征方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于谱线自吸收量化的激光诱导等离子体参数表征方法，通过测量元素谱线的线宽来量化该谱线的自吸收程度，并由此求得等离子体参数如电子温度、元素含量比、粒子绝对数密度等。由于本方法的计算过程不需要用到谱线强度，因此不仅避免了传统基于谱线强度计算等离子体参数时自吸收效应的不良影响，而且无需校正探测器的光谱效率，从而能有效延长LIBS检测设备的校准周期，直接精确地表征等离子体参数。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山西;14 |
| 申请人： | 山西大学 |
| 发明人： | 侯佳佳;张雷;尹王保;肖连团;贾锁堂 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810370236.2 |
| 公开号： | CN108572168A |
| 代理机构： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 |
| 代理人： | 任林芳 |
| 分类号： | G01N21/71(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/71 |
| 申请人地址： | 030006 山西省太原市小店区坞城路92号 |
| 主权项： | 1.一种基于谱线自吸收量化的激光诱导等离子体参数表征方法，其特征在于，包括：选取自吸收程度较大的待分析元素谱线，通过对比该谱线与氢线的线宽，计算其自吸收系数；通过量化该元素谱线的自吸收，计算相应的光学深度；通过光学深度，计算等离子体中元素粒子在下能级的面密度；通过元素粒子下能级的面密度，使用修正的萨哈‑玻尔兹曼平面法，计算等离子体的电子温度；利用玻尔兹曼分布定律，计算元素粒子的总面密度；通过对元素的原子和离子的面密度进行求和，计算该元素的总面密度，同时结合元素的原子量，计算不同元素的含量比；通过测定等离子体尺寸，计算元素粒子的绝对数密度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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