专利名称: |
一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置 |
摘要: |
本发明公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置,包括以下步骤:发射紫外脉冲激光;发射连续激光;将紫外脉冲激光扩束;将紫外脉冲激光与连续激光进行合束共轴;两束激光汇聚到待测GaN外延晶片上;接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号;根据光热效应,通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化,得到瞬态热反射曲线;通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。本发明将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光,探测激光设定为波长为325nm的连续激光,并进行共轴操作,以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜或者进行器件加工的问题。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
广东;44 |
申请人: |
哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
发明人: |
孙华锐;刘康;周岩 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810532951.1 |
公开号: |
CN108593707A |
代理机构: |
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 |
代理人: |
陈志超;罗尹清 |
分类号: |
G01N25/20(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/20 |
申请人地址: |
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城哈工大校区 |
主权项: |
1.一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:发射紫外脉冲激光,所述紫外脉冲激光用于对待测GaN外延晶片加热;发射连续激光,所述连续激光作为探测激光;将紫外脉冲激光扩束;将紫外脉冲激光与连续激光进行合束并共轴;紫外脉冲激光与连续激光汇聚到待测GaN外延晶片上;接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号;根据光热效应,通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化,得到瞬态热反射曲线;通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。 |
所属类别: |
发明专利 |