原文传递
一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置
| 专利名称： | 一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置，包括以下步骤：发射紫外脉冲激光；发射连续激光；将紫外脉冲激光扩束；将紫外脉冲激光与连续激光进行合束共轴；两束激光汇聚到待测GaN外延晶片上；接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号；根据光热效应，通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化，得到瞬态热反射曲线；通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。本发明将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光，探测激光设定为波长为325nm的连续激光，并进行共轴操作，以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜或者进行器件加工的问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 发明人： | 孙华锐;刘康;周岩 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810532951.1 |
| 公开号： | CN108593707A |
| 代理机构： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 |
| 代理人： | 陈志超;罗尹清 |
| 分类号： | G01N25/20(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/20 |
| 申请人地址： | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城哈工大校区 |
| 主权项： | 1.一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：发射紫外脉冲激光，所述紫外脉冲激光用于对待测GaN外延晶片加热；发射连续激光，所述连续激光作为探测激光；将紫外脉冲激光扩束；将紫外脉冲激光与连续激光进行合束并共轴；紫外脉冲激光与连续激光汇聚到待测GaN外延晶片上；接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号；根据光热效应，通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化，得到瞬态热反射曲线；通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
