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原文传递 单晶晶圆的表内判断方法
专利名称: 单晶晶圆的表内判断方法
摘要: 本发明提供一种单晶晶圆的表内判断方法,包含作为该单晶晶圆,使用具有对于基准方向而左右不对称的结晶面之物,该基准方向是连结该单晶晶圆的端面所形成的方位特定用的切口的中心与该单晶晶圆的中心的方向;正对该左右不对称的结晶面,通过向该单晶晶圆照射X光并检测绕射X光,测定该正对的结晶面的方位与该基准方向所构成的角度;自该经测定的角度值,判断该单晶晶圆的面为表面或是内面。由此,确实判断单晶晶圆的表内,且于成本方面优良的单晶晶圆的表内判定方法。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 日本;JP
申请人: 信越半导体株式会社
发明人: 渡边城康
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201680048656.8
公开号: CN107923858A
代理机构: 北京京万通知识产权代理有限公司 11440
代理人: 许天易
分类号: G01N23/207(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/207
申请人地址: 日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
主权项: 一种单晶晶圆的表内判断方法,包含:作为该单晶晶圆,使用具有对于基准方向而左右不对称的结晶面之物,该基准方向是该单晶晶圆的端面所形成的方位特定用的切口的中心及该单晶晶圆的中心为连结的方向;正对该左右不对称的结晶面,通过向该单晶晶圆照射X光并检测绕射X光,测定该正对的结晶面的方位与该基准方向所构成的角度;以及自该经测定的角度值,判断该单晶晶圆的面为表面或是内面。
所属类别: 发明专利
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