专利名称: |
一种具有疏水性微结构的钛硅碳陶瓷结构及其制备方法 |
摘要: |
本发明公开了一种具有疏水性微结构的钛硅碳陶瓷结构,包括钛硅碳陶瓷工件,所述钛硅碳陶瓷工件的工作面上均匀设置有由若干平行工作面长度方向的纵向微沟槽结构组成的微槽阵列结构,所述纵向微沟槽结构的深度为50~200µm,各个微沟槽结构的间距为60~1000µm。本发明还公开了一种具有疏水性微结构的钛硅碳陶瓷结构的制备方法。本发明效果如下:(1)微细电火花放电加工,可以加工出高质量、形状规则整齐的微沟槽结构,且有较高的形状精度;(2)本发明的加工方法可在其表面加工出微沟槽结构,微尺度可控制到数百微米乃至数微米,也可控制形状特征;(3)与传统的陶瓷工件相比,具有微结构阵列的陶瓷工件具有较好的疏水性功能。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
广东;44 |
申请人: |
华南理工大学 |
发明人: |
周超兰;鲁艳军;伍晓宇;李烈军;吴梦泽 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810088541.2 |
公开号: |
CN108394035A |
代理机构: |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人: |
何淑珍 |
分类号: |
B28D5/04(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/04 |
申请人地址: |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |
主权项: |
1.一种具有疏水性微结构的钛硅碳陶瓷结构,包括钛硅碳陶瓷工件,其特征在于:所述的钛硅碳陶瓷工件的工作面上均匀设置有由若干平行工作面长度方向的纵向微沟槽结构组成的微槽阵列结构,所述纵向微沟槽结构的深度为 50~200µm,各个微沟槽结构的间距为60~1000µm。 |
所属类别: |
发明专利 |