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一种单纳米颗粒阻变存储器性能的原位检测方法
| 专利名称： | 一种单纳米颗粒阻变存储器性能的原位检测方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单纳米颗粒阻变存储器性能的原位检测方法，该方法是在透射电子显微镜内以石墨烯和钨探针为电极，纳米颗粒为介电层，原位构建二端式单纳米颗粒阻变存储器，再通过原位加电的方式将电压加载上述两电极之间，实时监控所构建的纳米颗粒式阻变存储器的性能，从而判断该纳米颗粒是否可用作阻变存储器的介电层。本发明能够简单、快捷、精准找到合适材料做阻变存储层，以提高现有器件的性能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 华东师范大学 |
| 发明人： | 吴幸;骆晨;王超伦;徐何军;夏银 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810000469.3 |
| 公开号： | CN108445044A |
| 代理机构： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 |
| 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 分类号： | G01N27/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/00 |
| 申请人地址： | 200241 上海市闵行区东川路500号 |
| 主权项： | 1.一种单纳米颗粒阻变存储器性能的原位检测方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：使用机械剥离方法剥离出薄层石墨烯；所述薄层石墨烯指厚度在0.34‑50纳米的石墨烯；步骤2：将步骤1剥离出来的薄层石墨烯转移到铜网上，在光学显微镜下将纳米颗粒洒在转移到铜网上的薄层石墨烯上；步骤3：将步骤2得到的铜网转移到原位加电的样品杆上，然后将原位加电的样品杆装入透射电子显微镜中；步骤4：在低倍模式下操控透射电子显微镜的钨探针，使得钨探针的针尖与纳米颗粒接触；至此，以薄层石墨烯和钨为电极、纳米颗粒为阻变介质层的阻变存储器构建完成；步骤5：操控透射电子显微镜，给步骤4构建的阻变存储器加一个扫描电压，动态的监测该阻变存储器的电学性能；其中：步骤2中，所述在光学显微镜下将纳米颗粒洒在转移到铜网上的薄层石墨烯上，其纳米颗粒能够是数种；步骤4中，所述操控的钨探针的针尖与不同纳米颗粒接触，能够检测不同纳米颗粒的介电层的电学性能。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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