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一种用于检测展青霉素的分子印迹电化学传感器及制备方法
| 专利名称： | 一种用于检测展青霉素的分子印迹电化学传感器及制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供了用于检测展青霉素的分子印迹电化学传感器，其由玻碳电极、硫堇‑Pt纳米粒子‑氮掺杂石墨烯复合纳米材料层和分子印迹聚合物层组成。本发明提供的分子印迹电化学传感器可以有效地放大信号，获得高灵敏度，同时选择性好，回收率高，重现性好。无需依赖昂贵的大型仪器，前处理简单，且在保证结果准确性的同时，实现了快速检测，极大的节省了成本，提高了检测效率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海市农业科学院 |
| 发明人： | 韩铮;聂冬霞;赵志辉;蒋可秋;黄晴雯;郭文博;孟佳佳 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810495371.X |
| 公开号： | CN108693229A |
| 代理机构： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 |
| 代理人： | 张竹梅 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/30;G01N27/48 |
| 申请人地址： | 201403 上海市奉贤区金齐路1000号 |
| 主权项： | 1.用于检测展青霉素的分子印迹电化学传感器，其特征在于其由玻碳电极、硫堇‑Pt纳米粒子‑氮掺杂石墨烯复合纳米材料层和分子印迹聚合物层组成；其中Th‑PtNPs‑NGEs复合纳米材料层涂覆在玻碳电极表面，分子印迹聚合物层涂覆在Th‑PtNPs‑NGEs复合纳米材料层表面；其中所述的Th‑PtNPs‑NGEs复合纳米材料是通过如下方法制备得到的：(1)将2‑100mmol L‑1的H2PtCl6·6H2O水溶液和1‑20mmol L‑1的盐酸水溶液按体积比30‑50:1制备混合液，将氮掺杂石墨烯分散在混合液中，氮掺杂石墨烯的浓度为1‑50mg mL‑1；然后加入浓度为0.01‑10mol L‑1的抗坏血酸水溶液，抗坏血酸水溶液与前述总混合液的体积比为1:0.1‑10，超声1‑6h；离心，收集黑色反应产物，并用乙腈、水洗涤，烘干，制备获得Pt纳米粒子‑氮掺杂石墨烯复合纳米材料；(2)将上述制备的Pt纳米粒子‑氮掺杂石墨烯复合纳米材料和硫堇以质量比0.1‑10:1混合，加入二甲基甲酰胺超声1‑6h；然后离心收集反应产物，用水洗涤反应物后，室温干燥，制备获得硫堇‑Pt纳米粒子‑氮掺杂石墨烯复合纳米材料；其中所述的分子印迹聚合物层是以硫堇为聚合单体，展青霉素为模板分子，电聚合形成的分子印迹聚合物层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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