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一种降气体流速的MEMS缓冲器结构
| 专利名称： | 一种降气体流速的MEMS缓冲器结构 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降气体流速的MEMS缓冲器结构。本发明为键合到MEMS传感器基底上的薄壳；所述的薄壳带有网孔，由硅片进行各向异性刻蚀形成，且薄壳已氧化；所述的网孔在薄壳上均匀排列，且薄壳外部为长方体结构。当外部气体流经传感器薄膜前经过网孔薄壳会产生减速效果，并在气体流进薄壳后由于薄壳内壁的阻挡，使得气体在薄壳内部运动速度保持在低水平，从而减小气体流动带走薄膜表面过多的热量，减小薄膜表面温度的降低，使加热器的稳定性提高，减小能耗。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 杭州电子科技大学 |
| 发明人： | 董林玺;徐忠仁 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810313554.5 |
| 公开号： | CN108717097A |
| 代理机构： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 |
| 代理人： | 周希良 |
| 分类号： | G01N33/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/00 |
| 申请人地址： | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 主权项： | 1.一种降气体流速的MEMS缓冲器结构，其特征在于：为键合到MEMS传感器基底上的薄壳；所述的薄壳带有网孔，由硅片进行各向异性刻蚀形成，且薄壳已氧化；所述的网孔在薄壳上均匀排列，且薄壳外部为长方体结构。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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