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一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构
| 专利名称： | 一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构。本发明是在传感器薄膜上沉积氧化硅等绝热性较好的隔离层，通过光刻胶工艺和干法刻蚀工艺得到多个分离的长方体结构的阻挡器。其中五个长方体阻挡器看作一个小整体，每个小整体以梯形结构排列，五个长方体阻挡器分别排列在梯形结构的四个顶点和下底线中心位置。对于每个长方体，其底面为正方形，高度与长方体底面边长相等。当外部气体经过传感器薄膜时会受到各阻挡器的阻挡，使得气体在传感器薄膜附近运动速度降低，从而减小气体流动导致的薄膜表面温度的降低，使传感器的灵敏度和稳定性提高，并降低了传感器检测时所需的能耗。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 杭州电子科技大学 |
| 发明人： | 董林玺;徐忠仁 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810313555.X |
| 公开号： | CN108680703A |
| 代理机构： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 |
| 代理人： | 周希良 |
| 分类号： | G01N33/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;G;B;G01;B81;G01N;B81B;G01N33;B81B7;G01N33/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 申请人地址： | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 主权项： | 1.一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构，其特征在于：是在传感器薄膜上沉积绝热隔离层，通过光刻胶工艺和干法刻蚀工艺得到的多个分离的长方体结构的阻挡器；其中五个长方体阻挡器看作一个小整体，每个小整体以梯形结构排列，五个长方体阻挡器分别排列在梯形结构的四个顶点和下底线中心位置；对于每个长方体，其底面为正方形，高度与长方体底面边长相等。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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