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一种半导体致冷晶棒测试仪及测试方法
| 专利名称： | 一种半导体致冷晶棒测试仪及测试方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体致冷晶棒测试仪及测试方法。本发明半导体致冷晶棒测试仪，包括第一探头、第二探头、第一电极、第二电极和数据采集卡，第一探头上设有第一热电偶，第二探头上设有第二热电偶和加热器，第一电极和第二电极间电串联有电源E、开关K、限流电阻R和采样电阻Rc，采样电阻Rc的两端分别与数据采集卡电连接，数据采集卡与一控制器、一显示器通讯连接，第一探头、第二探头与半导体致冷晶棒顶触，第一电极和第二电极分别位于半导体致冷晶棒的两端与之相贴触，本发明的方案可用于半导体致冷晶棒的温差电动势率和电阻率的测试，且避免了人工的数据记录与计算，大大提高测试效率，使其适合工业应用。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 福建;35 |
| 申请人： | 泉州市依科达半导体致冷科技有限公司 |
| 发明人： | 阮秀清;阮秀沧 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811480808.9 |
| 公开号： | CN109444221A |
| 代理机构： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
| 代理人： | 谈杰 |
| 分类号： | G01N27/04(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 362000 福建省泉州市经济技术开发区孵化基地科技工业楼二楼A区 |
| 主权项： | 1.一种半导体致冷晶棒测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100：测量第一探头和第二探头的温度参数，获取第一探头和第二探头的温度参数；步骤S200：使第一探头和第二探头之间保持恒定温度差ΔT；步骤S300：使第一探头和第二探头接触半导体致冷晶棒；步骤S400：获取第一探头、第二探头之间的电压v1；步骤S500：计算半导体致冷晶棒的温差电动势率α，其中α＝v1/ΔT；步骤S600：测量半导体致冷晶棒的半径r、以及第一探头和第二探头的间距L；步骤S700：在半导体致冷晶棒两端连接电源E，获取通过半导体致冷晶棒的电流I，获取第一探头、第二探头之间的电压v3；步骤S800：计算出半导体致冷晶棒的电导率σ，其中σ＝v3*π*r2/I/L。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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