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一种超薄TEM样品的原位制备方法以及由此得到的超薄TEM薄膜
| 专利名称： | 一种超薄TEM样品的原位制备方法以及由此得到的超薄TEM薄膜 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超薄TEM样品的原位制备方法，包括如下步骤：S1，在原样品的表面，用离子束刻蚀，做好缺陷的位置标记；S2，参照位置标记进行原样品的粗减薄，得到薄膜样品；S3，进行薄膜样品的精细减薄，得到覆盖有碳保护膜的超薄TEM样品。本发明还提供根据上述的原位制备方法得到的超薄TEM薄膜，其中，超薄TEM薄膜的厚度小于30nm。根据本发明的超薄TEM样品的原位制备方法，其中的碳保护层不影响透射电子成像质量。由于碳保护层的支撑作用，在薄膜减薄过程中，有效避免了超薄样品容易发生的弯曲断裂及剥离问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人： | 黄亚敏;董业民;王秀芳 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-04-25T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-16T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910339551.3 |
| 公开号： | CN110133020A |
| 代理机构： | 上海智信专利代理有限公司 |
| 代理人： | 宋丽荣 |
| 分类号： | G01N23/2005(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |
| 主权项： | 1.一种超薄TEM样品的原位制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，在原样品的表面，用离子束刻蚀，做好缺陷的位置标记； S2，参照位置标记进行原样品的粗减薄，得到薄膜样品； S3，进行薄膜样品的精细减薄，得到覆盖有碳保护膜的超薄TEM样品。 2.根据权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：首先从薄膜样品的正面进行减薄，直至缺陷第一次显现出来，接下来在该正面镀碳保护膜；然后从薄膜样品的背面继续减薄，直至再次显现出缺陷，得到超薄TEM样品。 3.根据权利要求2所述的原位制备方法，其特征在于，采用电子束原位镀碳保护膜。 4.根据权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：将薄膜样品从原样品中整体截取出来，用探针挪动粘贴在原位TEM样品台上，进行薄膜样品的精细减薄。 5.根据权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：进行截面样品切割，直至靠近缺陷处，再从背面进行切割，再次靠近缺陷处，得到薄膜样品。 6.根据权利要求1所述的原位制备方法，其特征在于，薄膜样品的厚度为500nm。 7.根据权利要求1-6中任一项所述的原位制备方法得到的超薄TEM薄膜，其特征在于，超薄TEM薄膜的厚度小于30nm。 8.根据权利要求7所述的超薄TEM薄膜，其特征在于，碳保护膜的厚度小于50nm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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