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一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法
| 专利名称： | 一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法。本发明的湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，包括如下步骤：1)将TEM支持膜水平放置，将刻蚀剂滴于所述TEM支持膜上；2)将粘附有纳米颗粒的基底倒置，使得基底具有待转移的纳米颗粒的一面向下并逐渐接触刻蚀剂，经刻蚀后的待转移的纳米颗粒脱离基底并转移至TEM支持膜上；3)静置TEM支持膜至刻蚀剂挥发完毕，完成所述纳米颗粒TEM样品的制样。本发明湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，成本低、效率高，可将粘附于基底上的纳米颗粒完整转移至TEM支持膜上，转移后的纳米颗粒无团聚、无损伤，便于纳米颗粒TEM样品的高分辨晶格等性能表征。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 国家纳米科学中心 |
| 发明人： | 王雷;王树;刘前 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810469345.X |
| 公开号： | CN108663387A |
| 代理机构： | 北京品源专利代理有限公司 11332 |
| 代理人： | 巩克栋 |
| 分类号： | G01N23/2202(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/2202 |
| 申请人地址： | 100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |
| 主权项： | 1.一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)将TEM支持膜水平放置，将刻蚀剂滴于所述TEM支持膜上；2)将粘附有纳米颗粒的基底倒置，使得基底具有待转移的纳米颗粒的一面向下并逐渐接触步骤1)的刻蚀剂，经刻蚀后的待转移的纳米颗粒脱离基底并转移至TEM支持膜上；3)静置步骤2)的TEM支持膜至刻蚀剂挥发完毕，完成所述纳米颗粒TEM样品的制样。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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