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原文传递一种多层膜上芯片及其邦定状态的检测方法、显示装置

专利名称：	一种多层膜上芯片及其邦定状态的检测方法、显示装置
摘要：	本发明公开了一种多层膜上芯片及其邦定状态检测方法、显示装置。该多层膜上芯片包括第一柔性线路板和第二柔性线路板，所述第一柔性线路板包括多个第一连接端，所述第二柔性线路板包括多个第二连接端，所述多个第一连接端与多个第二连接端对应邦定，所述第二柔性线路板还包括电极结构层，所述电极结构层用于通过检测所述电极结构层与所述第一连接端之间的电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态。该多层膜上芯片，通过检测电极结构层与第一连接端之间的电容实现了对邦定状态的检测，避免了邦定不良产品流入市场，降低了产品的品质隐患。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	京东方科技集团股份有限公司
发明人：	吴昊;曹学文;景奇;徐斌;罗振华;郑仰利;安娜;谢晓波;孙兴盼;张晓萍;郭宝磊;蔡斯特;次刚;马晓
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-23T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-23T00:00:00+0800
申请号：	CN201910433976.0
公开号：	CN110161090A
代理机构：	北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人：	王云红;曲鹏
分类号：	G01N27/24(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
主权项：	1.一种多层膜上芯片，其特征在于，包括第一柔性线路板和第二柔性线路板，所述第一柔性线路板包括多个第一连接端，所述第二柔性线路板包括多个第二连接端，所述多个第一连接端与多个第二连接端对应邦定，所述第二柔性线路板还包括电极结构层，所述电极结构层用于通过检测所述电极结构层与所述第一连接端之间的电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态。 2.根据权利要求1所述的多层膜上芯片，其特征在于，所述多个第一连接端和多个第二连接端沿第一方向依次间隔设置，所述电极结构层包括沿第一方向依次间隔设置的第一感应电极。 3.根据权利要求2所述的多层膜上芯片，其特征在于，所述电极结构层还包括沿第二方向依次间隔设置的第二感应电极，所述第二方向为与所述第一方向垂直的方向。 4.根据权利要求3所述的多层膜上芯片，其特征在于，所述第一感应电极包括多个沿第二方向依次电连接的第一电极块，所述第二感应电极包括多个沿第一方向依次电连接的第二电极块。 5.根据权利要求4所述的多层膜上芯片，其特征在于，所述第一电极块和所述第二电极块均呈菱形。 6.根据权利要求4或5所述的多层膜上芯片，其特征在于，所述第一电极块和所述第二电极块同层设置，用于电连接相邻两个所述第一电极块的第一连接线与所述第一电极块同层设置，用于电连接相邻两个所述第二电极块的第二连接线与所述第二电极块位于不同层；或者，用于电连接相邻两个所述第一电极块的第一连接线与所述第一电极块位于不同层，用于电连接相邻两个所述第二电极块的第二连接线与所述第二电极块同层设置。 7.根据权利要求3～5中任意一项所述的多层膜上芯片，其特征在于，所述第一感应电极和所述第二感应电极位于不同层，所述电极结构层还包括设置在所述第一感应电极和所述第二感应电极之间的绝缘层。 8.一种多层膜上芯片邦定状态的检测方法，其特征在于，所述多层膜上芯片包括第一柔性线路板和第二柔性线路板，所述第一柔性线路板包括多个第一连接端，所述第二柔性线路板包括多个第二连接端，所述多个第一连接端与多个第二连接端对应邦定，所述第二柔性线路板还包括电极结构层，所述电极结构层用于通过检测所述电极结构层与所述第一连接端之间的电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态，所述第一连接端和所述电极结构层均与检测电路电连接，所述检测方法包括：检测所述电极结构层与所述第一连接端之间的电容，根据所述电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态。 9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述多个第一连接端和多个第二连接端沿第一方向依次间隔设置，所述电极结构层包括沿第一方向依次间隔设置的第一感应电极，所述第一连接端和所述第一感应电极均与检测电路电连接，每个第一感应电极在第一方向上都有唯一对应的坐标，所述检测所述电极结构层与所述第一连接端之间的电容，根据所述电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态，包括：检测每个第一感应电极与第一连接端之间的第一电容；根据所述第一电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态。 10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态，包括：将所述第一电容与第一标准电容进行比较；当所述第一电容与第一标准电容相同时，所述第一连接端与第二连接端的邦定状态良好，当所述第一电容与第一标准电容不相同时，所述第一连接端与第二连接端的邦定状态不良，所述第一电容对应的第一感应电极在第一方向上的坐标即为邦定状态不良区域在第一方向上的第一坐标，所述第一标准电容为邦定状态良好时第一感应电极与对应第一连接端之间的电容。 11.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述多个第一连接端和多个第二连接端沿第一方向依次间隔设置，所述电极结构层包括沿第一方向依次间隔设置的第一感应电极以及沿第二方向依次间隔设置的第二感应电极，所述第二方向为与所述第一方向垂直的方向，所述第一连接端、所述第一感应电极和所述第二感应电极均与检测电路电连接，每个第一感应电极在第一方向上都有唯一对应的坐标，每个第二感应电极在第二方向上都有唯一对应的坐标，所述检测所述电极结构层与所述第一连接端之间的电容，根据所述电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态，包括：检测每个第一感应电极与第一连接端之间的第一电容；检测每个第二感应电极与第一连接端之间的第二电容；根据所述第一电容和第二电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态。 12.根据权利要求11所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一电容和第二电容确定所述第一连接端与第二连接端的邦定状态，包括：将所述第一电容与第一标准电容进行比较，当所述第一电容与第一标准电容相同时，所述第一连接端与第二连接端的邦定状态良好，当所述第一电容与第一标准电容不相同时，所述第一连接端与第二连接端的邦定状态不良，所述第一电容对应的第一感应电极在第一方向上的坐标即为邦定状态不良区域在第一方向上的第一坐标；将所述第二电容与第二标准电容进行比较，当所述第二电容与第二标准电容不相同时，所述第二电容对应的第二感应电极在第二方向上的坐标即为邦定状态不良区域在第二方向上的第二坐标；所述邦定状态不良区域位置为：第一坐标，第二坐标，所述第一标准电容为邦定状态良好时第一感应电极与第一连接端之间的电容，所述第二标准电容为邦定状态良好时第二感应电极与第一连接端之间的电容。 13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7中任意一项所述的多层膜上芯片。
所属类别：	发明专利