原文传递
基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法
| 专利名称： | 基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法包括以下步骤：步骤1：在TEM衍射条件下，倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心，偏离因子s等于0，此时TEM影像图中样品的缺陷模糊；步骤2：继续倾转试片，使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向移动，使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离，偏离因子s大于0，此时TEM影像图中样品的缺陷清晰；步骤3：在步骤2的衍射条件下，找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。本发明利用偏离因子s稍大于零的条件下明场像具有最大影像强度的原理，对光电材料平面结构进行缺陷分析，可在TEM中直观且清晰的看到缺陷的详细形貌。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 宜特(上海)检测技术有限公司 |
| 发明人： | 蔡齐航;谢亚珍;康冀恺;刘怡良;余维松;许雅雯 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-05-07T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-09-03T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910375830.5 |
| 公开号： | CN110196258A |
| 代理机构： | 上海唯源专利代理有限公司 |
| 代理人： | 曾耀先 |
| 分类号： | G01N23/20058(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 201103 上海市闵行区宜山路1618号8幢C101室 |
| 主权项： | 1.一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法，其特征是：包括以下步骤： 步骤1：在TEM衍射条件下，倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心； 步骤2：继续倾转试片，使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向同步移动，使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离； 步骤3：在步骤2的衍射条件下，找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。 2.根据权利要求1所述的基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法，其特征是：在所述的步骤1中，偏离因子s等于0，此时TEM影像图中样品的缺陷模糊。 3.根据权利要求1所述的基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法，其特征是：在所述的步骤2中，偏离因子s大于0，此时TEM影像图中样品的缺陷清晰。 4.根据权利要求1或3所述的基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法，其特征是：所述的双束菊池线(1)的偏离范围不超过直射点(2)的半径。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
