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一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法
| 专利名称： | 一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法 |
| 摘要： | 本发明是一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法，在覆盖有二氧化硅（SiO2）绝缘层的Si衬底上真空蒸镀C60和VOPc超薄薄膜形成异质结，然后真空蒸镀铝叉指电极构成超薄异质结复合薄膜气体传感器。一方面，由于异质结效应，在两种材料的界面处形成了空间电荷区，有利于载流子的输运，提升了器件对NO2气体的灵敏度；另一方面，高度结晶的C60薄膜和高度有序的VOPc薄膜有利于NO2气体的吸附与解吸附，得到了快速响应/回复的气体传感器。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 吉林;22 |
| 申请人： | 长春工业大学 |
| 发明人： | 王丽娟;朱阳阳;孙强;王璐;苏鑫;董金鹏;张博;谢强 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-07-08T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-09-20T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910608883.7 |
| 公开号： | CN110261461A |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 130012 吉林省长春市朝阳区延安大街2055号 |
| 主权项： | 1.一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法包括：硅衬底（1），SiO2绝缘层（2），C60半导体层（3），VOPc半导体层（4），铝叉指电极（5），C60半导体层（3）和VOPc半导体层（4）构成异质结（6），在对NO2气体（7）进行检测时，形成空间电荷区，上侧形成空穴聚集区（8），下侧形成电子聚集区（9）。 2.根据权利要求1所述的一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法，其特征在于，绝缘层（2）采用二氧化硅（SiO2），厚度为300 nm。 3.根据权利要求1所述的一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法，其特征在于，C60半导体层（3）匀速蒸镀，蒸速为0.2 nm/min，衬底温度为100℃，厚度为20nm。 4.根据权利要求1所述的一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法，其特征在于，采用连续蒸镀法蒸镀VOPc半导体层（4），厚度为30 nm，蒸速为0.3 nm/min，衬底温度为180℃。 5.根据权利要求1所述的一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法，其特征在于，铝叉指电极（5）宽度W为100 mm，长度L为0.16 mm，厚度在100~150 nm之间。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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