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原文传递一种硅片缺陷的分析方法及装置

专利名称：	一种硅片缺陷的分析方法及装置
摘要：	本发明实施例提供了一种硅片缺陷的分析方法及装置，所述硅片缺陷的分析方法包括：对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。本发明实施例的分析方法可以对纳米级别的缺陷多方位的评估和检测，不需任何化学处理和抽真空操作，具有安全，快速和可控性高等优点，对于纳米级别的缺陷多方位的评估具有很大的意义。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	张婉婉;文英熙;柳清超
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-18T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-20T00:00:00+0800
申请号：	CN201910649557.0
公开号：	CN110261270A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	许静;刘伟
分类号：	G01N15/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N15
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
主权项：	1.一种硅片缺陷的分析方法，其特征在于，包括：对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。 2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述对待检测硅片的表面的预设区域进行粒度分布检测，包括：通过颗粒计数仪对预设区域内待检测硅片的表面进行粒度分布检测；所述确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息，包括：确定所述预设区域内最大尺寸在19nm以上的候选缺陷以及所述候选缺陷所对应的坐标。 3.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷，包括：根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息；根据每个候选缺陷的形状信息，将形状为蛙卵形的候选缺陷确定为目标缺陷。 4.根据权利要求3所述的分析方法，其特征在于，在根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息的步骤之前，所述方法还包括：将预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息导入至原子力显微镜测试仪中。 5.根据权利要求1或4所述的分析方法，其特征在于，所述对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量，包括：对所述目标缺陷进行X射线能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。 6.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，在对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量的步骤之后，所述方法还包括：根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺。 7.根据权利要求6所述的分析方法，其特征在于，所述根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺，包括：当所述杂质元素为硼元素时，且所述目标缺陷中硼含量超过预设阈值，则在所述下一批次硅片拉晶过程中减少硼的掺杂。 8.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，在所述从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷的步骤之后，所述方法还包括：确定所述目标缺陷的参数信息，所述参数信息包括：位置信息和/或形状信息。 9.根据权利要求8所述的分析方法，其特征在于，所述确定所述目标缺陷的参数信息，包括：确定所述目标缺陷的最大深度、周长和/或面积。 10.一种硅片缺陷的分析装置，其特征在于，包括：第一确定模块，用于对待检测硅片的表面预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；第二确定模块，用于根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；第三确定模块，用于对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。
所属类别：	发明专利