详情

原文传递一种硅片缺陷检测方法

专利名称：	一种硅片缺陷检测方法
摘要：	本发明公开的一种硅片缺陷检测方法，用于检测识别具有微裂纹缺陷的硅片，包括步骤：提供待测硅片；将所述待测硅片置于超声设备中进行超声处理；以及检测前述经超声处理后未破损的待测硅片是否具有微裂纹缺陷。本发明的一种硅片缺陷检测方法用于检测识别具有微裂纹缺陷的硅片，其利用特定频率的超声波作用置于液体中的硅片，通过统计硅片碎片率表征同批次硅片中隐裂片的概率情况，为衡量同批次硅片的整体质量情况提供参考依据，而且再通过硅片分选机复判硅片是否具有微裂纹时也更容易辨别，该方法操作简单、直接，成本低廉，检测过程速度快，准确性较好，特别是对于判断大批量的硅片质量具有很大的检测优势。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	隆基绿能科技股份有限公司
发明人：	邓浩;张济蕾;魏超锋;李梦飞;姚宏;谢志宴;刘晓东
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-10T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-21T00:00:00+0800
申请号：	CN201711107234.6
公开号：	CN109781621A
代理机构：	西安弘理专利事务所
代理人：	钟欢
分类号：	G01N19/08(2006.01);G;G01;G01N;G01N19
申请人地址：	710100 陕西省西安市长安区航天中路388号
主权项：	1.一种硅片缺陷检测方法，其特征在于，用于检测识别具有微裂纹缺陷的硅片，包括步骤：提供待测硅片；将所述待测硅片置于超声设备中进行超声处理；以及检测前述经超声处理后未破损的待测硅片是否具有微裂纹缺陷。 2.如权利要求1所述的一种硅片缺陷检测方法，其特征在于，在对所述待测硅片进行超声处理的步骤中，将所述待测硅片完全浸没于盛装于所述超声设备的液体中，设定超声波频率为10-25KHz，功率密度0.5-1W/cm2，超声时间1～20min。 3.如权利要求2所述的一种硅片缺陷检测方法，其特征在于，所述超声波频率为10-15KHz，超声时间5～15min。 4.如权利要求3所述的一种硅片缺陷检测方法，其特征在于，所述超声波频率为12KHz，超声时间10min。 5.如权利要求1所述的一种硅片缺陷检测方法，其特征在于，在对所述待测硅片进行超声处理的步骤前，将所述待测硅片插入硅片承载装置中。 6.如权利要求5所述的一种硅片缺陷检测方法，其特征在于，所述硅片承载装置选用花篮。 7.如权利要求1所述的一种硅片缺陷检测方法，其特征在于，采用硅片分选机检测经超声处理后未破损的待测硅片是否具有微裂纹缺陷。
所属类别：	发明专利