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原文传递一种硅片缺陷的检测方法及装置

专利名称：	一种硅片缺陷的检测方法及装置
摘要：	本发明实施例提供了一种硅片缺陷的检测方法及装置，硅片缺陷的检测方法包括：将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理，其中所述待检测子零件为部分的待检测零件；对多个待检测子零件进行热处理，所述多个待检测子零件属于不同的待检测零件；根据每个待检测子零件的处理结果，确定每个待检测子零件的缺陷。通过该硅片缺陷的检测方法可以同时对多片待检测子零件进行热处理，大大节省了前处理时间，提升缺陷分析的效率，可以简单快速地分析硅片中的缺陷分布，以便更好地控制和避免产品不良。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	张婉婉;文英熙;柳清超;郭恺辰
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-26T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910344467.0
公开号：	CN110018279A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	许静;刘伟
分类号：	G01N33/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
主权项：	1.一种硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理，其中所述待检测子零件为部分的待检测零件；对多个待检测子零件进行热处理，所述多个待检测子零件属于不同的待检测零件；根据每个待检测子零件的处理结果，确定每个待检测子零件的缺陷。 2.根据权利要求1所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述对多个待检测子零件进行热处理，所述多个待检测子零件属于不同的待检测零件，包括：提供一设置有多个卡槽的夹具，所述卡槽的形状与所述预设形状一致；将多个经过金属污染处理后的待检测子零件放置在夹具的卡槽中，并且放置在所述夹具上的多个待检测子零件属于不同的待检测零件；对放置在所述夹具上的多个待检测子零件进行热处理。 3.根据权利要求1所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，在所述将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理的步骤之前，所述方法还包括：将待检测零件沿直径方向切割制样成多个具有预设形状的待检测子零件。 4.根据权利要求1所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，在所述将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理步骤之后，且在所述对多个待检测子零件进行热处理的步骤之前，所述方法还包括：对所述待检测子零件进行干燥处理。 5.根据权利要求4所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述对所述待检测子零件进行干燥处理，包括：将所述待检测子零件放置在空气中干燥5～30min。 6.根据权利要求1所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，在所述对多个待检测子零件进行热处理的步骤之后，且在所述根据每个待检测子零件的处理结果，确定每个待检测子零件的缺陷的步骤之前，所述方法还包括：对所述待检测子零件进行腐蚀处理。 7.根据权利要求6所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述对所述待检测子零件进行腐蚀处理，包括：将待检测子零件浸入腐蚀液中，腐蚀时间为50～90min。 8.根据权利要求1所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理，包括：将所述待检测子零件浸入硝酸铜水溶液或者硝酸镍水溶液中，对其表面进行金属污染处理。 9.根据权利要求8所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述将所述待检测子零件浸入硝酸铜水溶液或者硝酸镍水溶液中，对其表面进行金属污染处理，包括：将所述待检测子零件浸入1～10mol/L的硝酸铜水溶液或者硝酸镍水溶液中，溶液温度为20～40℃，浸渍时间为5～20min。 10.根据权利要求1所述的硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述对多个待检测子零件进行热处理，包括: 将多个待检测子零件进行两次热处理，每次加热温度为800～1200℃，两次热处理总的加热时间为120～600min。 11.一种硅片缺陷的检测装置，其特征在于，包括：金属污染机构，用于将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理，其中所述待检测子零件为部分的待检测零件；热处理机构，用于对多个待检测子零件进行热处理，所述多个待检测子零件属于不同的待检测零件；分析机构，用于根据每个待检测子零件的处理结果，确定每个待检测子零件的缺陷。
所属类别：	发明专利