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原文传递 一种花状三氧化钨多级纳米材料、三乙胺气体传感器及制备方法
专利名称: 一种花状三氧化钨多级纳米材料、三乙胺气体传感器及制备方法
摘要: 本发明公开了一种花状三氧化钨多级纳米材料及其制备方法和用途。本发明还提供了基于该花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器,包括其制备方法及用途。其中,花状三氧化钨多级纳米材料由简单环保的声化学法制备,所得花状三氧化钨多级纳米材料可应用于三乙胺气体的高效检测。本发明基于花状三氧化钨多级纳米材料的三乙胺气体传感器,其具有优异的灵敏度、超快的响应速度、出色的选择性、可靠的长期稳定性和低的理论检测极限,表明这种基于新型花状三氧化钨多级纳米材料的气体传感器适用于高灵敏度地检测三乙胺气体,该花状三氧化钨多级纳米材料是检测三乙胺气体的潜在传感材料之一。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 上海;31
申请人: 上海交通大学
发明人: 杨志;韩雨彤;曾敏;苏言杰;胡南滔;周志华;张亚非
专利状态: 有效
申请日期: 2019-07-12T00:00:00+0800
发布日期: 2019-10-15T00:00:00+0800
申请号: CN201910629475.X
公开号: CN110333271A
代理机构: 上海旭诚知识产权代理有限公司
代理人: 郑立
分类号: G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址: 200240 上海市闵行区东川路800号
主权项: 1.一种花状三氧化钨多级纳米材料,其特征在于,花状三氧化钨多级纳米材料是由纳米片组装而成的多级结构,所述花状三氧化钨多级纳米材料的直径小于1.0μm,所述纳米片的厚度小于7nm。 2.一种花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1-1,将盐酸和去离子水混合、搅拌、超声得到盐酸溶液; 步骤1-2,将二硫化钨粉末加入步骤1-1所述盐酸溶液,超声混合均匀得到二硫化钨分散液; 步骤1-3,将过氧化氢溶液逐滴加入上述步骤1-2得到的所述二硫化钨分散液,利用声化学法进行制备、后处理,得到花状三氧化钨多级纳米材料粗产品; 步骤1-4,将步骤1-3得到的所述三氧化钨多级纳米材料粗产品进行干燥、煅烧后得到花状三氧化钨多级纳米颗粒。 3.如权利要求2所述的花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤1-1中,所述盐酸为质量分数37.5%的浓盐酸,所述盐酸与所述去离子水的体积比为1:1。 4.如权利要求2所述的花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤1-2中,所述二硫化钨为商用二硫化钨粉末,所述二硫化钨粉末的横向尺寸小于2μm,所述超声功率为80~100W,超声时间为10~20min。 5.如权利要求2所述的花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤1-3中,所述过氧化氢为质量分数35.0%的过氧化氢溶液;所述声化学法制备为超声,所述超声功率为80~100W,超声时间为3~4h;所述后处理包括洗涤、离心;其中,所述洗涤的溶剂选自去离子水、乙醇中一种或去离子水与乙醇组合的混合溶剂;所述离心的速度为4000~8000rpm,所述离心的时间为5~15min。 6.如权利要求2所述的花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤1-4中,所述干燥的温度为50~80℃,干燥时间为5~12h;所述煅烧的温度350~500℃,所述煅烧的时间为2~3h。 7.一种如权利要求2~6任一项所述制备方法得到的花状三氧化钨多级纳米材料,其特征在于,所述花状三氧化钨多级纳米材料是由纳米片组装而成的多级结构,所述花状三氧化钨多级纳米材料的直径小于1.0μm,所述纳米片的厚度小于7nm。 8.一种三乙胺气体传感器,其特征在于,所述三乙胺气体传感器的敏感材料传感层为权利要求1所述的花状三氧化钨多级纳米材料,或权利要求2~6任一项所述制备方法得到的不同煅烧温度的花状三氧化钨多级纳米材料;其中,所述不同的煅烧温度分别为350,400,450和500℃。 9.一种三乙胺气体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤2-1,将上述花状三氧化钨多级纳米颗粒产品与醇试剂混合并涂覆在氧化铝陶瓷管表面; 步骤2-2,将Ni-Cr合金加热线圈插入步骤2-1所述陶瓷管中; 步骤2-3,将步骤2-2所得的所述陶瓷管连接到六角底座上,得到三乙胺气体传感器单元; 步骤2-4,将步骤2-3中得到的所述三乙胺气体传感器单元在160~200℃热老化后得到三乙胺气体传感器。 10.如权利要求1所述花状三氧化钨多级纳米材料、或权利要求2~6任一项所述制备方法得到的花状三氧化钨多级纳米材料、或权利要求8所述的三乙胺气体传感器、或权利要求9所述制备方法得到的三乙胺气体传感器在三乙胺气体监测中的用途。
所属类别: 发明专利
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