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原文传递超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统

专利名称：	超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统
摘要：	本发明公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部法兰刀口密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部法兰刀口密封连接。本发明公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司
发明人：	王文杰
专利状态：	有效
申请日期：	2019-09-06T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-22T00:00:00+0800
申请号：	CN201910842219.9
公开号：	CN110487609A
代理机构：	嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人：	张抗震
分类号：	G01N1/28(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号(中科院三期)17号楼2楼203室
主权项：	1.一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，包括：快速进样室，所述快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接；电极生长室，所述电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述超高真空腔体部远离所述第一超高真空插板阀的一端与所述第一真空获得系统刀口法兰密封连接，所述第一真空测量系统安装于所述超高真空腔体部的侧端并且与所述超高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述第一真空获得系统用于获得真空状态；支架系统和电控系统，所述快速进样室和所述电极生长室固定安装于所述支架系统的上端，所述电控系统位于所述支架系统的侧端，所述电控系统包括控制电源。 2.根据权利要求1所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述快速进样室还包括第二真空获得系统、第二真空测量系统、快开门、第二超高真空插板阀，所述第二超高真空插板阀位于所述高真空腔体部的下端并且与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述第二真空获得系统位于所述第二超高真空插板阀的下端并与所述第二超高真空插板阀刀口法兰密封连接，所述第二真空测量系统位于所述高真空腔体部的侧端并且与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述快开门位于所述高真空腔体部的上端并且通过橡胶圈与所述高真空腔体部密封连接。 3.根据权利要求1所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述电极生长室还包括电极制备机构，所述电极制备机构部分内置于所述超高真空腔体部，所述电极制备机构与所述超高真空腔体部通过刀口法兰密封连接，所述电极制备机构包括精密二维掩膜版驱动机构、样品固定台、掩膜版、电极制备机构位置调节机构。 4.根据权利要求1所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述电极生长室还包括观测系统，所述观测系统包括第一长焦显微镜、第二长焦显微镜、反光镜、反光镜位置调节机构，其中：所述第一长焦显微镜和所述第二长焦显微镜分别位于所述超高真空腔体部的侧端，所述第一长焦显微镜和所述第二长焦显微镜用于观测；所述反光镜内置于所述超高真空腔体部并且位于所述电极制备机构的下端，所述反光镜位置调节机构安装于所述超高真空腔体部的侧端并且与所述反光镜刀口法兰密封连接，所述反光镜位置调节机构用于调节所述反光镜的位置。 5.根据权利要求4所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述观测系统还包括观察窗、观察窗挡板和观察窗挡板驱动机构，所述观察窗位于所述超高真空腔体部的侧端并且部分内置于所述超高真空腔体部，所述观察窗挡板内置于所述超高真空腔体部，所述观察窗挡板驱动机构贯穿于所述超高真空腔体部的上端并且驱动所述观察窗挡板的开闭。 6.根据权利要求4所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述第一长焦显微镜和所述第二长焦显微镜设有微调机构。 7.根据权利要求1所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述电极生长室还包括样品储藏传递系统，所述样品储藏传递系统包括第二传样杆、样品储藏架、样品储藏架位置调节机构，所述样品储藏架内置于所述超高真空腔体部，所述样品储藏架设有防护外罩，用于防止污染储存的样品，所述第二传样杆位于所述超高真空腔体部侧端并且位于所述第一长焦显微镜上端，所述样品储藏架位置调节机构用于调节所述样品储藏架的位置。 8.根据权利要求1所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述电极生长室还包括电极生长系统，所述电极生长系统位于所述超高真空腔体部的下端并且与超高真空腔体部刀口法兰密封连接。 9.根据权利要求8所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述电极生长系统包括蒸发源，所述蒸发源包括高温热蒸发源、电子束轰击蒸发源。 10.根据权利要求1所述的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其特征在于，所述电极生长室还包括薄膜刻蚀系统，所述薄膜刻蚀系统位于所述超高真空腔体部的下端并且与超高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述薄膜刻蚀系统包括氩离子枪、气路和阀门。
所属类别：	发明专利