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用以消除碳支持膜对TEM样品成像质量影响的方法
| 专利名称： | 用以消除碳支持膜对TEM样品成像质量影响的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用以消除碳支持膜对TEM样品成像质量影响的方法，用FIB对连续的碳支持膜加工形成多个直径4～6μm的圆形孔洞，并在该圆形孔洞位置放置TEM样品，完成后续的TEM明场模式下观测样品。本发明能够有效地分辨和量测纳米级薄膜的厚度，提高TEM样品的制样效率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 发明人： | 陈柳;高金德 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-08-26T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-11-26T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910788056.0 |
| 公开号： | CN110501356A |
| 代理机构： | 上海浦一知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 戴广志 |
| 分类号： | G01N23/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室 |
| 主权项： | 1.一种用以消除碳支持膜对TEM样品成像质量影响的方法，其特征在于，用FIB对连续的碳支持膜加工形成多个直径4～6μm的圆形孔洞，并在该圆形孔洞位置放置TEM样品。 2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对碳支持膜加工的方法是将碳支持膜经过OM平整度确认后放在FIB内，缩小范围，再次用电子束确认碳支持膜质量，找到理想目标区域。 3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述形成多个直径4～6μm的圆形孔洞的方法是，在离子束窗口下，在所述理想目标区域内，对连续的碳支持膜在高角度下使用离子束90pA电流加工碳支持膜，打出多个4～6μm圆形孔洞，使目标区域的圆形孔洞内没有碳支持膜的阻挡。 4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述高角度为52°。 5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在该圆形孔洞位置放置TEM样品的方法是，将圆形孔洞中的碳支持膜取下，将正常切好的样品使用样品提取系统仪器的玻璃静电针管利用静电把样品放置到之前打好的圆形孔洞区。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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