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原文传递一种改善的半导体器件的背部开封方法

专利名称：	一种改善的半导体器件的背部开封方法
摘要：	本发明公开了一种改善的半导体器件的背部开封方法，包括以下步骤：激光开封步骤：使用激光对半导体器件背面进行处理以去除半导体器件背部的模封体，直至封装于半导体器件内部的框架裸露出来；酸反应步骤：采用浓度为第一预设数值的硝酸去除铜框架；第一研磨步骤：采用粒度号为第二预设数值的砂纸进行研磨以使得芯片中的硅衬底减薄至预设高度。本发明的改善的半导体器件的背部开封方法针对于半导体器件中不同材质的不同层依次采用激光、酸反应以及研磨的方法来进行分层处理，不仅提高整个半导体器件背部开封的处理速度；且增大了芯片与铜框架之间相距较近的半导体器件的背部观测范围，进一步提升了芯片的观测效果。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳赛意法微电子有限公司
发明人：	龚瑜
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-29T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201910807607.3
公开号：	CN110618004A
代理机构：	广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人：	杨艳
分类号：	G01N1/28(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	518038 广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号
主权项：	1.一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，包括以下步骤：激光开封步骤：使用激光对半导体器件背面进行处理以去除半导体器件背部的模封体，直至封装于半导体器件内部的引线框架裸露出来；酸反应步骤：采用浓度为第一预设数值的硝酸去除引线框架；第一研磨步骤：采用粒度号为第二预设数值的砂纸对芯片进行研磨以使得芯片中的硅衬底减薄至预设高度；第一清洗步骤：采用清水或者酒精对经过减薄的芯片背面进行清洗。 2.如权利要求1所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，所述第一清洗步骤具体为：将经过减薄的芯片放置于精密研磨机处，采用清水并配合抛光绒布对经过减薄的芯片背面进行清洗；设置所述精密研磨机底盘转速在30～50r/min之间，设置精密研磨机的清洗时间为10s～3分钟之间任意一数值。 3.如权利要求1所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，在第一研磨步骤之后还包括缺陷检测步骤：将经过第一研磨步骤之后的芯片放置于红外显微镜的观测位，通过红外显微镜进行芯片的缺陷检测。 4.如权利要求1所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，在第一研磨步骤之后还包括失效检测步骤，所述失效检测步骤具体包括如下步骤：使用激光对半导体器件正面进行处理以去除半导体器件正面一定高度的模封体，直至将封装于半导体器件内部的引线裸露出来；将处理好的半导体器件放置于微光显微镜/光诱导电阻变化仪器后，使用探针放置在正面裸露出来的引线上；上电以完成芯片的失效定位。 5.如权利要求1所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，在第一研磨步骤之后还包括第二研磨步骤：将经过砂纸研磨后的芯片放置于精密研磨机处，将二氧化硅悬浊液均匀滴在研磨绒布表面，控制精密研磨机工作以对芯片进行研磨处理。 6.如权利要求5所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，所述二氧化硅悬浊液中二氧化硅的直径为0.05um，在第二研磨步骤中，设置所述精密研磨机的底盘转速在100～220r/min之间，设置精密研磨机的研磨头自转速度为10r/min，设置精密研磨机的研磨头水平转速为0.625cm/s。 7.如权利要求5所述的其特征在于，在第二研磨步骤之后还包括抛光步骤：采用抛光绒布对经过第二研磨步骤之后的芯片进行抛光研磨，在抛光研磨的过程中，设置所述精密研磨机的底盘转速在100～200r/min之间，设置抛光研磨时间为3～5分钟。 8.如权利要求1所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，在第一研磨步骤中，通过精密研磨机对芯片进行研磨以使得芯片中的硅衬底减薄至预设高度，设置精密研磨机的底盘转速在100～220r/min之间，设置精密研磨机的研磨头自转速度10r/min，设置精密研磨机的研磨头水平转速0.625cm/s，设置研磨时间为3-5分钟之间任意一数值；所述预设高度为70～200um中任意一数值。 9.如权利要求1所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，在激光开封步骤之后还包括加热步骤：将经过激光处理后的半导体器件放置在加热台上加热至预设温度，所述预设温度为90～120℃；在酸反应步骤之后还包括第二清洗步骤：使用丙酮对半导体器件进行清洗。 10.如权利要求1所述的一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，所述激光开封步骤具体为：使用激光对半导体器件背面进行处理以去除半导体器件背部的模封体，直至封装于半导体器件内部的引线框架完全裸露出来；所述第一预设数值不超过70％，所述第二预设数值为1200。
所属类别：	发明专利