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PbS胶体量子点薄膜声表面波气体传感器
| 专利名称： | PbS胶体量子点薄膜声表面波气体传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种PbS胶体量子点薄膜声表面波气体传感器及其制作方法，属于新型电子材料和智能传感器领域。通过阳离子交换法合成PbS CQDs，采用传统的光刻工艺制作ST切石英晶体SAW延迟线，接着使用旋涂工艺将PbS CQDs涂覆到SAW延迟线的延迟区域，将PbS胶体量子点薄膜较高的比表面积，易吸附气体及对气体敏感的特点，结合声表面波传感器体积小，灵敏度高等优势，制作了一种基于PbS胶体量子点薄膜声表面波气体传感器。该传感器在室温下对NO2浓度从0.5到30ppm气体的动态传感响应从1增加到12kHz，传感器的理论检测底限约为32ppb，具有良好的重复性，本发明在智能传感器仿生嗅觉方面具有广阔的应用前景和研究价值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 深圳大学 |
| 发明人： | 罗景庭;李敏;范平;冯晓莹;马少敏;洪锐拓;区冠文 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-12-04T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-21T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811507309.4 |
| 公开号： | CN109917000A |
| 分类号： | G01N29/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N29 |
| 申请人地址： | 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号 |
| 主权项： | 1.PbS胶体量子点薄膜声表面波气体传感器及其制作方法，其特征在于：通过阳离子交换法合成PbS CQDs，采用传统的光刻工艺，在ST切石英晶体上制备了由输入和输出叉指换能器(IDT)组成的双端口SAW延迟线。使用旋涂工艺将PbS CQDs涂覆到SAW延迟线的延迟区域。用纯甲醇洗涤两次，除去残留物，并采用Pb(NO3)2处理，制作出PbS胶体量子点薄膜声表面波NO2气体传感器。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，合成的PbS CQDs呈现出分布均匀的近球形颗粒，尺寸4-6nm。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，涂敷在SAW器件上的PbS CQDs薄膜经过Pb(NO3)2处理后薄膜出现微裂纹，为目标气体分子的吸附提供更多的敏感区域。 4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，PbS胶体量子点薄膜声表面气体传感器在室温下对浓度从0.5到30ppm的NO2气体的动态传感响应从1增加到12kHz，理论检测底限达到32ppb，具有良好的可重复性。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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