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一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置及工艺
| 专利名称： | 一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置及工艺 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置及工艺。该装置包括两个固定板、两根支撑杆、两根滑动杆及两个可拆卸的插片，两个固定板之间通过两根支撑杆固定支撑，每个固定板上均对称的设有两个弧形滑槽，同一固定板上的两个弧形滑槽所在的圆的尺寸与晶圆尺寸相当；两根滑动杆相互平行的设置在两个固定板之间，其端部位于弧形滑槽内，并可沿弧形滑槽滑动；两端插片用于硅片轴向定位并可根据晶棒的长短进行轴向调整。该工艺包括：(1)溶液配置、(2)溶液温度控制、(3)晶圆与装置固定、(4)脱胶等工序。本发明能够起到晶圆表面预清洗的作用，进一步简化手动脱胶的流程，减少脱胶过程中崩边和裂片的产生，提高单晶切片的出片率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 发明人： | 苏冰;安瑞阳;王新;曲翔;史训达 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2017-12-21T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-28T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201711398836.1 |
| 公开号： | CN109940771A |
| 代理机构： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 刘秀青 |
| 分类号： | B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
| 申请人地址： | 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 |
| 主权项： | 1.一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置，其特征在于，包括两个固定板、两根支撑杆、两根滑动杆及两个可拆卸的插片， 两个固定板之间通过两根支撑杆固定支撑，每个固定板上均对称的设有两个弧形滑槽，同一固定板上的两个弧形滑槽所在的圆的尺寸与晶圆尺寸相当；两根滑动杆相互平行的设置在两个固定板之间，其端部位于弧形滑槽内，并可沿弧形滑槽滑动；通过将两根滑动杆滑动至弧形滑槽的底部，来限制晶圆沿径向的移动； 两个插片的端部均具有用于连接支撑杆的开槽，通过将支撑杆插入开槽中，来限制晶圆沿轴向方向的移动。 2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两个固定板之间设有把手。 3.一种使用权利要求1所述的装置对晶圆进行脱胶的工艺，其特征在于，包括以下步骤： (1)将SC-1、脱胶剂以及纯水按体积比进行混合，其中，SC-1的比例为0.8％-2.5％，脱胶剂的比例为1％-3％，剩余部分均为纯水； (2)将混合溶液的温度控制在50-75℃之间； (3)将晶圆固定在装置上； (4)将装置及晶圆整体置于混合溶液中，脱胶完成后将装置及晶圆整体取出。 4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述SC-1为NH4OH和H2O2按体积比NH4OH∶H2O2＝1∶1的混合液。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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