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原文传递一种硅棒的多线切割方法及装置

专利名称：	一种硅棒的多线切割方法及装置
摘要：	本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种硅棒的切割方法及装置。硅棒的多线切割方法，包括：在多线切割装置的切割线上附着混合酸液，利用所述切割线携带混合酸液对硅棒进行切割处理；在所述切割处理的过程中，每经过一预定时间，在硅棒的切割面上喷洒清洗液，清洗去除硅棒切割面上的混合酸液；所述喷洒清洗液后，若未形成硅片，继续进行切割处理；若形成硅片，则停止切割处理。多线切割装置包括平行主轴，切割线，设置在所述主轴的一侧，用于向所述切割线上喷洒混合酸液的第一喷洒组件；设置在硅片切割区域的一侧，用于向硅棒的切割面喷洒清洗液的第二喷洒组件。本发明的多线切割方法切割速度快，切割后获得的硅片质量高，切割损失小，噪音小。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	陈兴松
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-02T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201910589187.6
公开号：	CN110281408A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	黄灿;蔡丽
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
主权项：	1.一种硅棒的多线切割方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)：在多线切割装置的切割线上附着混合酸液，利用所述切割线携带混合酸液对硅棒进行切割处理；在所述切割处理的过程中，每经过一预定时间，在硅棒的切割面上喷洒清洗液，清洗去除硅棒切割面上的混合酸液；步骤(2)：所述喷洒清洗液后，若未形成硅片，则返回步骤(1)，继续进行切割处理；若形成硅片，则停止切割处理。 2.根据权利要求1所述的多线切割方法，其特征在于，所述切割线为化学纤维单丝或复丝，碳化硅包覆碳纤维芯形成的复合材料线，或者经过处理的金属丝；所述化学纤维为聚四氟乙烯纤维、或者超高分子量聚乙烯。 3.根据权利要求1所述的多线切割方法，其特征在于，所述混合酸液包括硝酸和氢氟酸，所述硝酸与氢氟酸的体积比为(1～5)：(5～9)；所述硝酸的质量浓度为70％，所述氢氟酸的质量浓度为50％。 4.根据权利要求3所述的多线切割方法，其特征在于，所述混合酸液还包括：缓冲剂、附加剂和催化剂中一种或多种；所述缓冲剂为水、硼酸、硫酸、醋酸和磷酸中的一种或多种；所述附加剂为氧化剂、还原剂或者金属盐类；所述催化剂为亚硝酸盐。 5.根据权利要求4所述的多线切割方法，其特征在于，所述缓冲剂的添加量不大于硝酸和氢氟酸总质量的50％，所述附加剂的添加量不大于硝酸和氢氟酸总质量的10％，所述催化剂的添加量不大于硝酸和氢氟酸总质量的10％。 6.根据权利要求5所述的多线切割方法，其特征在于，所述混合酸液为硝酸、氢氟酸和醋酸的混合物，硝酸、氢氟酸和醋酸的体积比为(1～3)：(5～7)：(1～2)；硝酸、氢氟酸、醋酸和硫酸的混合物，硝酸和氢氟酸的体积比为(1～3)：(5～7)，所述醋酸和硫酸的总质量占硝酸和氢氟酸总质量的20％；硝酸、氢氟酸和双氧水的混合物，硝酸和氢氟酸的体积比为(1～3)：(5～7)，所述双氧水的质量占硝酸和氢氟酸总质量的0.05～2％；或者硝酸、氢氟酸、磷酸和溴的混合物，所述硝酸、氢氟酸、磷酸的体积比为(1～3)：(5～7)：(1～2)，所述溴的质量占硝酸和氢氟酸总质量的1％。 7.根据权利要求1所述的多线切割方法，其特征在于，所述切割处理时的温度为15～80℃。 8.根据权利要求1所述的多线切割方法，其特征在于，所述切割处理时的线速度为1～200mm/min。 9.根据权利要求1所述的多线切割方法，其特征在于，所述预定时间为0.5～5分钟。 10.一种多线切割装置，包括至少一对平行主轴，以及缠绕于所述主轴上的多根平行的切割线，其特征在于，还包括：设置在所述主轴的一侧，用于向所述切割线上喷洒混合酸液的第一喷洒组件；设置在硅片切割区域的一侧，用于向硅棒的切割面喷洒清洗液的第二喷洒组件。
所属类别：	发明专利