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原文传递用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体

专利名称：	用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体
摘要：	本发明提供一种用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于所述经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。基于单组参数而动态地调谐所述经调制晶片的裸片的敏感度。此外，依据现有所确定的参数特定标称工艺窗而确定用于所述经调制晶片的所述工艺窗。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	科磊股份有限公司
发明人：	D·C·欧兰;A·马修尔;K·吴;E·希夫林
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-20T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-28T00:00:00+0800
申请号：	CN201780068639.5
公开号：	CN109952502A
代理机构：	北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：	刘丽楠
分类号：	G01N21/95(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	美国加利福尼亚州
主权项：	1.一种存储计算机程序产品的非暂时性计算机可读媒体，所述计算机程序产品具有可由处理器执行以执行方法的代码，所述方法包括：针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域；基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描；获得所述第一缺陷扫描的结果；依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间，针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗；依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间，针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗；基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗；基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描；获得所述第二缺陷扫描的结果；依据所述第二缺陷扫描的所述结果，确定用于所述晶片的最终工艺窗。 2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述属性空间包含缺陷极性。 3.根据权利要求2所述的非暂时性计算机可读媒体，其中使用亮缺陷及暗缺陷来追踪所述缺陷极性。 4.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中使用缺陷的多项式拟合来确定所述第一标称工艺窗。 5.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中使用缺陷的多项式拟合来确定所述第二标称工艺窗。 6.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述至少两个参数包含聚焦参数及曝光参数。 7.根据权利要求5所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述第一参数为聚焦参数且所述第二参数为曝光参数。 8.根据权利要求7所述的非暂时性计算机可读媒体，其中基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的所述预测工艺窗包含：使用所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗进行降取样，使得所述预测工艺窗包含具有在所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗两者内的经调制参数的裸片。 9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述第一关心区区域是所述最终关心区的子部分。 10.一种方法，其包括：针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域；基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描；获得所述第一缺陷扫描的结果；依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间，针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗；依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间，针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗；基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗；基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描；获得所述第二缺陷扫描的结果；依据所述第二缺陷扫描的所述结果，确定用于所述晶片的最终工艺窗。 11.一种系统，其包括：处理器，其用于：针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域；基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描；获得所述第一缺陷扫描的结果；依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间，针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗；依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间，针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗；基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗；基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描；获得所述第二缺陷扫描的结果；依据所述第二缺陷扫描的所述结果，确定用于所述晶片的最终工艺窗。 12.一种存储计算机程序产品的非暂时性计算机可读媒体，所述计算机程序产品具有可由处理器执行以执行方法的代码，所述方法包括：从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者：第一裸片，其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制，第二裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制，及第三裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制；基于泰勒级数展开函数，从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移；对所述晶片执行检验，针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片： (a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移，且 (b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。 13.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读媒体，其中使用每一裸片在所述多个裸片中的预定义排名而识别所述第一裸片、所述第二裸片及所述第三裸片，每一裸片的所述排名随所述裸片的所述调制而变。 14.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述一阶偏移是非零的。 15.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读媒体，其中利用以下函数来动态地计算与所述裸片对应的所述偏移：偏移＝(maximum(first order offset,second order offset_second die xNoise)，其中Noise为所述裸片中的所述噪声水平。 16.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读媒体，其中对所述晶片的具有初级裸片类型的裸片执行所述检验。 17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读媒体，其进一步包括对所述晶片的具有次级裸片类型的裸片执行所述晶片的额外检验，其中针对经受所述额外检验的所述晶片的每一其它裸片，所述额外检验： (a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第三裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述其它裸片中的噪声水平对应的其它偏移，且 (b)将所述其它偏移作为其它敏感度来应用于所述其它裸片。 18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述额外检验由用户提示。 19.一种由处理器执行的方法，其包括：从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者：第一裸片，其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制，第二裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制，及第三裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制；基于泰勒级数展开函数，从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移；对所述晶片执行检验，针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片： (a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移，且 (b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。 20.一种系统，其包括：处理器，其用于：从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者：第一裸片，其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制，第二裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制，及第三裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制；基于泰勒级数展开函数，从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移；对所述晶片执行检验，针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片： (a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移，且 (b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。
所属类别：	发明专利