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原文传递观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法

专利名称：	观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法
摘要：	本发明涉及一种观察锑化铟半导体器件p‑n结微观结构的样品及方法，属于半导体技术领域。通过对InSb半导体器件表面结构进行加工，获得p‑n结所在的观察区域表面结构为“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的样品，使得EBIC法观察InSb半导体器件中的p‑n结时电子束可透过样品表面的钝化膜，透视到InSb半导体器件中的p‑n结区域并与未透视区域形成对比，这对于InSb半导体器件的制造方法及筛选检测都有指导意义：可检测出InSb半导体器件p‑n结成结工艺是否有效，即是否在InSb半导体材料中制成了p‑n结，也可检测出用于制造InSb半导体器件的材料是否有缺陷。
专利类型：	发明专利
申请人：	云南北方昆物光电科技发展有限公司
发明人：	孙祥乐;杨文运;黄晖;太云见;秦勇;信思树;叶薇;白兰艳;袁俊;曾祥明;杜润来
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T12:00:00+0805
申请号：	CN201911350855.6
公开号：	CN111141775A
代理机构：	北京理工大学专利中心
代理人：	周蜜
分类号：	G01N23/2251;G01N23/2202;G01R31/26;G;G01;G01N;G01R;G01N23;G01R31;G01N23/2251;G01N23/2202;G01R31/26
申请人地址：	650223 云南省昆明市教场东路31号201副楼
主权项：	1.一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，其特征在于：所述样品采用如下方法制成： InSb半导体器件中p-n结所在区域为观察区域，用光刻胶将p区电极的一部分进行掩膜，另一部分用离子束刻蚀法将其表面的钝化膜和金属膜刻蚀掉，使观察区域形成“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的表面结构，得到所述样品；其中，薄层钝化膜的厚度150nm～250nm。 2.一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，其特征在于：薄层钝化膜的厚度180nm～220nm。 3.一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的方法，其特征在于：所述方法采用的样品为如权利要求1或2所述一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，步骤如下： (1)将所述样品在一台配有EBIC测试系统和冷却样品台的扫描电子显微镜中进行观察，观察所需扫描电子显微镜的电子束能量为5kV～30kV，冷却样品台的冷却温度为80K，将连接所述样品中p-n结的p区电极和n区电极接到EBIC测试系统的输入端，不用区分输入端的极性； (2)将连接好电极的所述样品放入扫描电子显微镜样品舱中的冷却样品台上，用EBIC测试系统的检测程序检测所述样品p-n结的两个电极与EBIC测试系统的电连接是否可靠，如果不可靠需要重新连接，直至确认连接可靠后合上扫描电子显微镜舱门，按照操作程序抽真空至观察所述样品微观结构形貌所需的真空度，电子显微镜可自动侦测扫描观察形貌所需的真空度，然后进入样品形貌的观察程序，确定样品的形貌图像和EBIC扫描图像的观察区域； (3)将样品台冷却至80K，则放置在样品台上待观察的样品温度也随之下降到80K，用扫描电子显微镜电子束在所述样品待观察区域进行扫描，用EBIC测试系统记录并显示电子束诱生电流的强弱分布，将EBIC电流的强弱分布通过显示器显示出来；EBIC电流的强弱分布即为被观察区域的EBIC扫描图像，图像中明亮的区域表明该区域EBIC电流较强，该区域即为样品中有p-n结的区域，若这一区域亮度比较均匀，说明该区域的p-n结一致性比较好，反之如果该区域出现暗斑，则说明暗斑处p-n结一致性较差。
所属类别：	发明专利