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原文传递一种鉴别SiC中缺陷的方法

专利名称：	一种鉴别SiC中缺陷的方法
摘要：	本发明涉及一种鉴别SiC中缺陷的方法，属于半导体缺陷的测量领域，方法包括将SiC样品采用激光扫描共聚焦荧光显微镜观察，根据收集发光的情况，鉴别SiC中微管、空洞情况。该方法简单可靠，特别适用于高掺杂不透明SiC的缺陷观察，可对任一晶型和掺杂的SiC衬底生产的任一工序内的产品进行检测，有利于实施生产过程质量控制。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	山东;37
申请人：	山东大学
发明人：	彭燕;慈爽;徐现刚;谢雪健;杨祥龙
专利状态：	在审
申请日期：	2019-08-01T00:00:00+0800
发布日期：	2021-02-02T00:00:00+0800
申请号：	CN201910705150.5
公开号：	CN112304909A
代理机构：	济南金迪知识产权代理有限公司
代理人：	王楠
分类号：	G01N21/64;G01N21/65;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/64;G01N21/65
申请人地址：	250199 山东省济南市历城区山大南路27号
所属类别：	发明专利