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一种超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法
| 专利名称： | 一种超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，先测低温电阻率，再取霍尔样片进行霍尔检测，可初步得出超高纯锗单晶净杂质浓度的整体分布图，可较精准制取霍尔样片，可减少霍尔样片取片次数，可避免合格锗段的浪费。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 安徽;34 |
| 申请人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 发明人： | 顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2021-12-16T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2022-03-25T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN202111543211.6 |
| 公开号： | CN114235899A |
| 代理机构： | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 李慧慧 |
| 分类号： | G01N27/04;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/04 |
| 申请人地址： | 239000 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号 |
| 主权项： | 1.一种超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，包括步骤： 检测超高纯锗单晶锗锭或晶体的低温电阻率，初步得出超高纯锗单晶净杂质浓度的整体分布图； 对超高纯锗单晶锗初步合格段取霍尔样片进行霍尔检测。 2.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，所述对超高纯锗单晶锗初步合格段取霍尔样片进行霍尔检测，包括： 在初步合格段两头取第一厚度的锗片； 对锗片进行霍尔检测； 判断霍尔检测得到的载流子浓度是否小于预设浓度，若是，则认定为合格；反之为不合格，则往初步合格段中间方向预设距离处切取下一锗片，直至载流子浓度小于预设浓度为止； 两头的锗片均合格时，则认定当前的初步合格段整体合格。 3.根据权利要求2所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，在初步合格段两头取第一厚度的锗片之后，在对锗片进行霍尔检测之前，还包括： 将锗片腐蚀至第二厚度； 将腐蚀好的锗片切割成长方体，测量其厚度并记录。 4.根据权利要求3所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，所述第一厚度为0.7-0.8mm，所述第二厚度为0.5-0.6mm，所述长方体的尺寸为8*8*0.5-0.6mm3。 5.根据权利要求2所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，所述预设浓度为2.5E10，所述预设距离为1-2cm。 6.根据权利要求2所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，所述对锗片进行霍尔检测，包括： 将锗片放入霍尔检测仪的样品夹中，将四根铜片的四个角焊接在锗片的四个角； 将样品夹放入样品室中，并向里面倒入液氮，使锗片温度稳定在77k后开始检测。 7.根据权利要求6所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，在将锗片放入霍尔检测仪的样品夹中之前，还包括：在锗片的四个角点铟。 8.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，所述检测超高纯锗单晶锗锭或晶体的低温电阻率，初步得出超高纯锗单晶净杂质浓度的整体分布图，包括： 将超高纯锗单晶锗锭或晶体每隔4-6mm做标记； 用画笔刷蘸取铟镓合金，沿着标记处画长薄层； 用铟片缠绕在超高纯锗单晶两头作为接触电极； 将缠绕好的超高纯锗单晶放置在杜瓦罐里的V型支架上； 往杜瓦罐里充装液氮，直至没过超高纯锗单晶； 等液面稳定后进行低温电阻率检测； 由转换公式将低温电导率转换为净杂质浓度； 根据低温电阻率检测得到的净杂质浓度，净杂质浓度小于E11的超高纯锗单晶为初步合格段。 9.根据权利要求8所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，所述长薄层宽2-3mm，长20-30mm，为不呈现任何形状的液滴状。 10.根据权利要求8所述的超高纯锗单晶载流子浓度的检测方法，其特征在于，所述转换公式为：n＝1/pqu，其中，n是净杂质浓度，单位cm-3，p是测量电阻率，单位Ω*cm，q是单位电荷量，1.602*10-19C，u是迁移率，单位cm2/v*s。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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