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原文传递电路基板的制造方法及电路基板

专利名称：	电路基板的制造方法及电路基板
摘要：	本发明的电路基板的制造方法包括：将具有开口部(31)的板状构件(30)配置于半固化物复合体片(10)之上的工序；将金属箔切割加工品(20)嵌合于板状构件(30)的开口部(31)而配置在配置有板状构件(30)的半固化物复合体片(10)之上的工序；对配置有板状构件(30)及金属箔切割加工品(20)的半固化物复合体片(10)一边加热一边加压从而制作第1层叠体的工序；和从第1层叠体除去板状构件(30)从而制作第2层叠体的工序，金属箔切割加工品(20)的厚度与板状构件(30)的厚度之间的差的绝对值为0.25mm以下，绝缘击穿电压为3.5kV以上。根据本发明，能够提供电路基板的制造方法，其即使在包含多孔质陶瓷和将该多孔质陶瓷的空隙填充的热固性组合物的半固化物的半固化物复合体片上粘贴对金属箔进行切割加工而得到的金属箔切割加工品、并进行加压，也能够抑制在半固化物复合体片中产生裂纹。
专利类型：	发明专利
申请人：	电化株式会社
发明人：	井之上纱绪梨;山县利贵;金子绘梨;吉松亮;古贺龙士
专利状态：	有效
申请日期：	2022-02-18T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-14T00:00:00+0800
申请号：	CN202280024109.1
公开号：	CN117063621A
代理机构：	北京市金杜律师事务所
代理人：	田川婷
分类号：	H05K3/20;H;H05;H05K;H05K3;H05K3/20
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.电路基板的制造方法，其中，在包含多孔质陶瓷和将所述多孔质陶瓷的空隙填充的热固性组合物的半固化物的半固化物复合体片上层叠对金属箔进行切割加工而得到的金属箔切割加工品来制造电路基板，所述制造方法包括：将具有与所述金属箔切割加工品嵌合的开口部的板状构件配置在所述半固化物复合体片之上的工序；将所述金属箔切割加工品嵌合于所述板状构件的开口部而配置在配置有所述板状构件的所述半固化物复合体片之上的工序；对配置有所述板状构件及所述金属箔切割加工品的所述半固化物复合体片一边加热一边加压从而制作第1层叠体的工序；和从所述第1层叠体除去所述板状构件从而制作第2层叠体的工序，所述金属箔切割加工品的厚度与所述板状构件的厚度之间的差的绝对值为0.25mm以下。 2.如权利要求1所述的电路基板的制造方法，其中，所述板状构件包含：具有与所述金属箔切割加工品嵌合的开口部的第1板状构件；和第2板状构件，所述第2板状构件具有与所述金属箔切割加工品嵌合的开口部，并且是防止所述第1板状构件与所述半固化物复合片的粘接的剥离片。 3.如权利要求1或2所述的电路基板的制造方法，其中，所述板状构件的材料或所述第1板状构件的材料与所述金属箔切割加工品的材料相同。 4.如权利要求1～3中任一项所述的电路基板的制造方法，其还包括在金属基底板之上配置所述半固化物复合体片的工序，在配置所述板状构件的工序中，在配置于所述金属基底板之上的所述半固化物复合体片之上配置板状构件，在配置所述金属箔切割加工品的工序中，在配置于所述金属基底板之上的所述半固化物复合体片之上配置所述金属箔切割加工品。 5.电路基板的制造方法，其中，在包含多孔质陶瓷和将所述多孔质陶瓷的空隙填充的热固性组合物的半固化物的半固化物复合体片上层叠对金属箔进行切割加工而得到的金属箔切割加工品来制造电路基板，所述制造方法包括：在所述半固化物复合体片之上配置所述金属箔切割加工品的工序；和对配置有所述金属箔切割加工品的所述半固化物复合体片一边加热一边以1.0～8.0MPa的压力加压从而制作层叠体的工序。 6.如权利要求1～5中任一项所述的电路基板的制造方法，其还包括对所述第1层叠体、所述第2层叠体或所述层叠体进行加热而使其固化的工序。 7.电路基板，其包含：固化物复合体层，所述固化物复合体层包含多孔质陶瓷和将所述多孔质陶瓷的空隙填充的热固性组合物的固化物；和设置于所述固化物复合体层的表面的金属图案，所述金属图案的侧面的凹陷量除以所述金属图案的厚度而得的值及所述金属图案的侧面的扩展量除以所述金属图案的厚度而得的值为0.055以下，所述电路基板的绝缘击穿电压为3.5kV以上。 8.如权利要求7所述的电路基板，其还包含金属基底板，所述金属基底板设置于所述固化物复合体层的与所述金属图案侧的面为相反侧的面上。