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原文传递 电路基板的制造方法
专利名称: 电路基板的制造方法
摘要: 本发明提供即使在绝缘层含有无机填充材料的情况下、也能以微细的图案形成导体电路的新型的电路基板的制造方法。该电路基板的制造方法包括下述工序(X)、(Y)和(Z):工序(X),在带有金属层的基材的该金属层上形成第一导体电路;工序(Y),以将形成于前述金属层上的第一导体电路埋入的方式,利用树脂组合物形成树脂组合物层,并使该树脂组合物层固化而形成绝缘层;工序(Z),除去带有金属层的基材,形成具有露出有第一导体电路的第一主面的电路基板;树脂组合物包含环氧树脂、固化剂及无机填充材料。
专利类型: 发明专利
申请人: 味之素株式会社
发明人: 小椋一郎;冈崎大地
专利状态: 有效
申请日期: 2022-03-28T00:00:00+0800
发布日期: 2023-11-21T00:00:00+0800
申请号: CN202280025044.2
公开号: CN117099196A
代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
代理人: 卢曼;梅黎
分类号: H01L23/12;H;H01;H01L;H01L23;H01L23/12
申请人地址: 日本东京都中央区京桥一丁目15-1
主权项: 1.电路基板的制造方法,其是包括下述工序(X)、(Y)和(Z)的电路基板的制造方法, 工序(X),在带有金属层的基材的该金属层上形成第一导体电路, 工序(Y),以将形成于所述金属层上的第一导体电路埋入的方式利用树脂组合物形成树脂组合物层,并使该树脂组合物层固化而形成绝缘层, 工序(Z),除去带有金属层的基材,形成具有露出有第一导体电路的第一主面的电路基板,其中,树脂组合物包含环氧树脂、固化剂和无机填充材料。 2.根据权利要求1所述的方法,其中,将树脂组合物中的不挥发成分设为100质量%时,树脂组合物中的无机填充材料的含量为20质量%以上且75质量%以下。 3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,无机填充材料的平均粒径为0.6μm以下。 4.根据权利要求1~3中任一项所述的方法,其中,无机填充材料为二氧化硅。 5.根据权利要求1~4中任一项所述的方法,其中,树脂组合物的最低熔体粘度为5000泊以下。 6.根据权利要求1~5中任一项所述的方法,其中,金属层的厚度小于0.5μm。 7.根据权利要求1~6中任一项所述的方法,其中,金属层表面的算术平均粗糙度Ra为200nm以下,在带有金属层的基材的厚度方向测定的该金属层表面的高度的最大值与最小值之差TTV为50μm以下。 8.根据权利要求1~7中任一项所述的方法,其中,带有金属层的基材中,基材选自组成与金属层不同的金属基材、无机基材和有机基材。 9.根据权利要求1~8中任一项所述的方法,其中,工序(Z)通过在除去基材后再除去金属层而进行。 10.根据权利要求1~9中任一项所述的方法,其中,工序(X)包括: (X-1)在金属层上设置光致抗蚀剂,将该光致抗蚀剂曝光、显影,使金属层对应于应形成的第一导体电路的电路图案而露出;以及 (X-2)在露出的金属层上形成导体层,形成第一导体电路。 11.根据权利要求1~10中任一项所述的方法,其中,第一导体电路包含沟槽型的导体电路。 12.根据权利要求1~11中任一项所述的方法,其中,工序(Y)包括:以使树脂组合物层与第一导体电路接合的方式,将包含支承膜和设置于该支承膜上的该树脂组合物层的树脂片材层叠在基材上。 13.根据权利要求1~12中任一项所述的方法,其中,在工序(Y)之后,包括:工序(i),在绝缘层表面上形成第二导体电路;以及 工序(ii),以将第二导体电路埋入的方式形成树脂组合物层,并使该树脂组合物层固化而形成绝缘层。 14.根据权利要求1~13中任一项所述的方法,其中,电路基板用于半导体封装。 15.电路基板,其是具有第一主面和第二主面的电路基板,其中, 在第一主面包含沟槽型的导体电路, 沟槽型的导体电路的最小线宽/线距比(L/S)为2/2μm以下, 在与第一主面垂直且与沟槽型的导体电路的延伸方向也垂直的方向Y的截面中,沟槽型的导体电路的侧壁划定的直线的方向y1与方向Y的角度差为20°以下, 与沟槽型的导体电路一起划定第一主面的绝缘层由包含环氧树脂、固化剂和无机填充材料的树脂组合物的固化物形成。 16.根据权利要求15所述的电路基板,其中,沟槽型的导体电路具有宽度从第一主面朝向电路基板的深度方向增大的倒锥形形状。 17.根据权利要求15或16所述的电路基板,其中,在与第一主面垂直且与沟槽型的导体电路的延伸方向也垂直的方向Y的截面中,沟槽型的导体电路的厚度T与宽度W之比(T/W)为1.5以上。 18.根据权利要求15~17中任一项所述的电路基板,其中,在与第一主面垂直且与沟槽型的导体电路的延伸方向也垂直的方向Y的截面中,沟槽型的导体电路的露出面比与沟槽型的导体电路一起划定第一主面的绝缘层的露出面还凹陷0.05W以上。 19.根据权利要求15~18中任一项所述的电路基板,其中,具有电路层数为2以上的多层结构。 20.半导体封装,其中,包含: 权利要求15~19中任一项所述的电路基板、和 以与该电路基板的沟槽型的导体电路电连接的方式设置于第一主面上的半导体芯片。 21.根据权利要求20所述的半导体封装,其为扇出(Fan-Out)型封装。
所属类别: 发明专利
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