详情

原文传递一种晶圆芯片的切割方法

专利名称：	一种晶圆芯片的切割方法
摘要：	本发明公开了一种晶圆芯片的切割方法，包括步骤：刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕，该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度；刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕，第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度；刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割，所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。本发明减少了传统玻璃晶圆切割方法带来的崩边问题，并避免了黑膜脱落并残留在蓝膜上，可最大限度地抑制切割芯片时产生的背面崩裂及芯片破损，有效提高了提高芯片抗折强度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	福建;35
申请人：	福建省福联集成电路有限公司
发明人：	陈智伟;黄琮诗;池育维
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810015647.X
公开号：	CN108214954A
代理机构：	福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219
代理人：	林祥翔;徐剑兵
分类号：	B28D5/02(2006.01)I;B28D7/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D7;B28D5/02;B28D7/00
申请人地址：	351117 福建省莆田市涵江区涵港西路368号
主权项：	1.一种晶圆芯片的切割方法，其特征在于，包括步骤：刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕，该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度；刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕，第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度；刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割，所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。
所属类别：	发明专利