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氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板
| 专利名称： | 氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 |
| 摘要： | 本发明涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 日本;JP |
| 申请人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 发明人： | 中山宪隆;青木克之;佐野孝 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810154404.4 |
| 公开号： | CN108276008A |
| 代理机构： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
| 代理人： | 王永红 |
| 分类号： | C04B35/587(2006.01)I;H01L23/15(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H05K1/03(2006.01)I;C;H;C04;H01;H05;C04B;H01L;H05K;C04B35;H01L23;H05K1;C04B35/587;H01L23/15;H01L23/373;H01L23/498;H05K1/03 |
| 申请人地址： | 日本东京都 |
| 主权项： | 1.压接结构用氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，压接结构用氮化硅基板的剖面组织中，氮化硅晶粒的长径的平均粒径为1.5～10μm，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对于氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，与绝缘强度的平均值的偏差为20％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法对基板的对角线彼此的交点以及成为自交点至各自角部的中点的4个部位的合计5个部位测量时的绝缘强度的平均值。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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