原文传递
制备用于生长氮化铝单晶的碳化钽坩埚的装置及制备方法
| 专利名称： | 制备用于生长氮化铝单晶的碳化钽坩埚的装置及制备方法 |
| 摘要： | 本发明公布了一种制备生长氮化铝单晶所用碳化钽坩埚及制备新方法，包括：高纯碳化钽粉、粘结剂、包套模具、液体压力介质、密闭高压容器、坩埚、车床及高温加热炉；将高纯碳化钽粉与粘结剂混合均匀后烘干，装入包套模具材料中；再装入倒满液体压力介质的密闭高压容器中进行高压压制成碳化钽坩埚模型；放入坩埚内，再放在高温加热炉里进行高温烧结；利用车床对其进行车削加工，得到合适大小的碳化钽坩埚；再经过高温加热炉高温定型，得到生长氮化铝单晶所用的碳化钽坩埚。本发明能够延长碳化钽坩埚使用寿命，提升其生长氮化铝单晶的晶体质量，增加单晶可用面积；且方法简单，可实现低成本氮化铝单晶的制备。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京大学 |
| 发明人： | 吴洁君;朱星宇;赵起悦;李孟达;韩彤;于彤军;张国义 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811085528.8 |
| 公开号： | CN109129833A |
| 代理机构： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 |
| 代理人： | 黄凤茹 |
| 分类号： | B28B3/00(2006.01)I;B;B28;B28B;B28B3 |
| 申请人地址： | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 |
| 主权项： | 1.一种制备生长氮化铝单晶所用碳化钽坩埚的装置，其特征是：包括：高纯碳化钽粉、粘结剂、包套模具、液体压力介质、密闭高压容器、坩埚、车床及高温加热炉；所述密闭高压容器中加满液体压力介质，置于装置的最外侧；将高纯碳化钽粉加入粘结剂后装入包套模具中，组成碳化钽坩埚初始模型；将碳化钽坩埚初始模型置于密闭高压容器内；加满液体压力介质的密闭高压容器用于对碳化钽坩埚初始模型进行压制，压制完成后得到初步成型的碳化钽坩埚模型；坩埚用于盛装初步成型的碳化钽坩埚模型，并置于高温加热炉中进行烧结；车床用于对烧结后的碳化钽坩埚模型进行车削加工，由此制备得到碳化钽坩埚；制备得到的碳化钽坩埚用于生长氮化铝单晶。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
