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原文传递引导式集成电路缺陷检测

专利名称：	引导式集成电路缺陷检测
摘要：	已经提供了一种用于检测集成电路的缺陷的方法和系统。该方法包括：生成集成电路的工艺制程敏感图形；使用高分辨率系统扫描该工艺制程敏感图形以提供该集成电路的工艺制程条件参数；使用该参数确定该集成电路的关注区域；和使用该高分辨率系统扫描该关注区域以检测该集成电路的至少一个缺陷。该系统包括处理器和存储器，该存储器具有能够由处理器执行的指令，以生成集成电路的工艺制程敏感图形，使用高分辨率系统扫描工艺制程敏感图形以提供集成电路的工艺制程条件参数，使用工艺制程条件参数确定集成电路的关注区域，和使用高分辨率系统扫描所述关注区域以检测集成电路的至少一个缺陷。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	东方晶源微电子科技(北京)有限公司
发明人：	刘华玉;林杰;张兆礼;俞宗强
专利状态：	有效
申请日期：	2017-10-30T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-11T00:00:00+0800
申请号：	CN201780085151.3
公开号：	CN110325843A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司
代理人：	王益
分类号：	G01N21/88(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼
主权项：	1.一种用于检测集成电路的缺陷的方法，所述方法包括：生成集成电路的工艺制程敏感图形；使用高分辨率系统扫描所述工艺制程敏感图形以提供所述集成电路的工艺制程条件参数；使用所述工艺制程条件参数确定所述集成电路的关注区域；和使用所述高分辨率系统扫描所述关注区域以检测所述集成电路的至少一个缺陷。 2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高分辨率系统是电子束系统。 3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在集成电路生产线上监控所述集成电路的制作过程，其中所述工艺制程敏感图形对所述制作过程中的工艺制程变化敏感。 4.根据权利要求3所述的方法，其中，生成所述工艺制程敏感图形包括：使用设计测试图形和图形匹配算法来搜索所述集成电路的设计以生成所述工艺制程敏感图形，其中从所述制作过程和先前制作过程中的任何一个生成所述设计测试图形。 5.根据权利要求4所述的方法，其中，生成所述工艺制程敏感图形还包括：对所述集成电路的设计执行工艺制程窗口分析以生成所述工艺制程敏感图形。 6.根据权利要求1所述的方法，其中，扫描所述工艺制程敏感图形包括：使用所述工艺制程敏感图形生成所述集成电路的第一组扫描电子显微镜图像；和使用所述第一组扫描电子显微镜图像和所述集成电路的布线文件确定所述工艺制程条件参数。 7.根据权利要求1所述的方法，其中，扫描所述关注区域包括：使用所述关注区域生成所述集成电路的第二组扫描电子显微镜图像；和将所述第二组扫描电子显微镜图像与所述集成电路的参考图像和布线文件中的任何一个进行比较以检测至少一个缺陷。 8.根据权利要求7所述的方法，其中，确定所述关注区域包括：使用包括所述集成电路的布线文件和所述工艺制程条件参数的信息来预测潜在缺陷；和使用所述潜在缺陷来确定所述关注区域。 9.根据权利要求8所述的方法，还包括：将所述缺陷储存在数据库中；和更新所述信息以包括所述缺陷，以连续地更新所述潜在缺陷的预测。 10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述集成电路的布线文件是图形设计标准(GDS)布线文件。 11.一种用于检测集成电路的缺陷的系统，所述系统包括：处理器；和存储器，所述存储器包括能够由所述处理器执行的指令来用以：生成集成电路的工艺制程敏感图形；使用高分辨率系统扫描所述工艺制程敏感图形以提供所述集成电路的工艺制程条件参数；使用所述工艺制程条件参数确定所述集成电路的关注区域；和使用高分辨率系统扫描所述关注区域以检测所述集成电路的至少一个缺陷。 12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述存储器还包括能够由所述处理器执行的指令来用以：在集成电路生产线上监控所述集成电路的制作过程，其中所述工艺制程敏感图形对所述制作过程中的工艺制程变化敏感。 13.根据权利要求11所述的系统，其中，生成所述工艺制程敏感图形包括：使用设计测试图形和图形匹配算法来搜索集成电路的设计以定位所述工艺制程敏感图形，其中从集成电路生产线上的集成电路的制作过程和先前制作过程中的任何一个生成所述设计测试图形。 14.根据权利要求13所述的系统，其中，生成所述工艺制程敏感图形还包括：对所述集成电路的设计执行工艺制程窗口分析以生成所述工艺制程敏感图形。 15.根据权利要求11所述的系统，其中，扫描所述工艺制程敏感图形包括：使用所述工艺制程敏感图形生成所述集成电路的第一组扫描电子显微镜图像；和使用所述第一组扫描电子显微镜图像和所述集成电路的布线文件确定所述工艺制程条件参数。 16.根据权利要求11所述的系统，其中，确定所述关注区域包括：使用包括所述集成电路的布线文件和所述工艺制程条件参数的信息来预测潜在缺陷；和使用所述潜在缺陷来确定所述关注区域。 17.根据权利要求11所述的系统，其中，扫描所述关注区域包括：使用所述关注区域生成所述集成电路的第二组扫描电子显微镜图像；和将所述第二组扫描电子显微镜图像与所述集成电路的参考图像和布线文件中的任何一个进行比较以检测所述至少一个缺陷。 18.一种系统，包括：监控装置，用于确定集成电路的工艺制程敏感图形；扫描装置，用于扫描所述工艺制程敏感图形以提供所述集成电路的工艺制程条件参数；热点预测器，用于使用所述工艺制程条件参数确定所述集成电路的热点；和所述扫描装置用于扫描所述热点以检测所述集成电路的至少一个缺陷。 19.根据权利要求18所述的系统，其中，确定所述热点包括：使用包括所述集成电路的布线文件和所述工艺制程条件参数的信息来预测潜在缺陷；和使用所述潜在缺陷来确定所述热点。 20.根据权利要求18所述的系统，还包括：数据库，用于储存检测到的缺陷；和更新机制，用于更新所述数据库以包括与所述至少一个缺陷相关的信息，从而连续地更新潜在缺陷的预测。
所属类别：	发明专利