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原文传递一种晶棒切割装置和方法

专利名称：	一种晶棒切割装置和方法
摘要：	本发明提供一种晶棒切割装置和方法。所述装置包括：晶棒支撑装置，所述晶棒支撑装置用以支撑晶棒；切割线供给装置，所述切割线供给装置包括用以切割所述晶棒形成薄片状晶圆的切割线；以及切割缓冲装置，所述切割缓冲装置设置在所述晶棒的外周面上与所述切割线相对的位置，用以对所述切割线接触所述晶棒时起进行缓冲。根据本发明的晶棒切割装置和方法，通过在切割线供给装置的切割线与晶棒表面之间设置切割缓冲装置，解决了晶棒切割后形成的晶圆因为切割线的抖动和热量突变产生的晶圆翘曲，达到稳定切割的目的。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海新昇半导体科技有限公司
发明人：	周智元;闻澜霖;王道平;卢德沅
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-15T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201910636557.7
公开号：	CN110370479A
代理机构：	北京市磐华律师事务所
代理人：	高伟
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号
主权项：	1.一种晶棒切割装置，其特征在于，包括：晶棒支撑装置，所述晶棒支撑装置用以支撑晶棒；切割线供给装置，所述切割线供给装置包括用以切割所述晶棒形成薄片状晶圆的切割线；以及切割缓冲装置，所述切割缓冲装置设置在所述晶棒的外周面上与所述切割线相对的位置，用以对所述切割线接触所述晶棒时进行缓冲。 2.根据权利要求1所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置的材料包括树脂。 3.根据权利要求1所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置包括与所述晶棒的外周面接触的第一表面和与所述切割线相对的第二表面；所述第一表面设置为与所述晶棒的外周面相配合的圆弧面，所述第二表面设置为平面。 4.根据权利要求3所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置沿着所述晶棒的轴向的长度不小于所述晶棒的长度。 5.根据权利要求4所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置沿着所述晶棒的轴向的长度范围为100-600mm。 6.根据权利要求3所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置沿着所述晶棒的径向的宽度的范围为2-50mm。 7.根据权利要求6所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置沿着所述晶棒的径向的宽度的范围为8-30mm。 8.根据权利要求3所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置的所述第一表面和所述第二表面之间的厚度的范围为0.3-20mm。 9.根据权利要求7所述的晶棒切割装置，其特征在于，所述切割缓冲装置的所述第一表面和所述第二表面之间的厚度的范围为3-10mm。 10.一种晶棒切割方法，其特征在于，包括：步骤S1：获取待切割的晶棒，在所述晶棒的外周面上设置有切割缓冲装置；步骤S2：采用切割线对所述晶棒进行切割，其中，在所述切割线接触所述晶棒之前，使所述切割线切割所述切割缓冲装置，以对所述切割线接触所述晶棒时进行缓冲。 11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤S1中：通过粘接剂将所述切割缓冲装置粘接到所述晶棒的外周面上。
所属类别：	发明专利