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原文传递一种碳化硅单晶晶片制造工艺

专利名称：	一种碳化硅单晶晶片制造工艺
摘要：	本发明公开了一种碳化硅单晶晶片制造工艺，所述制造工艺包括如下步骤：晶体生长；碳化硅棒料的打磨以及端部余料的去除；碳化硅棒料的切片，通过线切割机进行碳化硅棒料的切片，同时切割时，对碳化硅棒料表面进行喷洒线切割冷却液；晶片的研磨，将晶片安装在模座上，晶片与研磨布接触，通过电机驱动模座和晶片，进行转动；晶片的抛光，通过抛光机进行晶片表面的抛光打磨；过滤及余料收集。该工艺的有益效果是：进行碳化硅棒料处理打磨时，可有效的进行余料的回收，从而避免出现浪费，回收效果较好，同时碳化硅棒料进行圆柱面的打磨，可便于碳化硅棒料圆柱面余料的去除，同时可进行碳化硅棒料尺寸的调整，便于满足晶片加工的需求。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	江苏晶杰光电科技有限公司
发明人：	陈炳寺;戴磊
专利状态：	有效
申请日期：	2019-10-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-20T00:00:00+0800
申请号：	CN201911023067.6
公开号：	CN110587842A
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区环城北路北侧非晶产业园三期16号厂房
所属类别：	发明专利