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原文传递一种硅片成型加工方法

专利名称：	一种硅片成型加工方法
摘要：	本发明提供一种硅片成型加工方法，包括：采用多线酸腐蚀切割工艺将硅棒切成硅片；对所述硅片进行倒角加工；对倒角加工后的硅片表面进行磨削加工；对磨削加工后的硅片进行抛光加工。根据本发明实施例的硅片成型加工方法，采用多线酸腐蚀切割工艺对硅棒进行切割，可以得到超薄硅片，加工效率高、质量好、各项反应速率可控，避免了传统硅片成型加工过程中硅片切割耗时长、噪声大、切割得到的硅片质量无法满足要求等诸多问题的发生。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	陈兴松
专利状态：	有效
申请日期：	2019-09-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-31T00:00:00+0800
申请号：	CN201910863526.5
公开号：	CN110625835A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	许静;胡影
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
主权项：	1.一种硅片成型加工方法，其特征在于，包括：采用多线酸腐蚀切割工艺将硅棒切成硅片；对所述硅片进行倒角加工；对倒角加工后的硅片表面进行磨削加工；对磨削加工后的硅片进行抛光加工。 2.根据权利要求1所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述采用多线酸腐蚀切割工艺将硅棒切成硅片的步骤包括：利用多根切割线将酸性切割液带入硅棒目标区域；所述酸性切割液对所述硅棒进行化学腐蚀切割。 3.根据权利要求2所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述酸性切割液包括腐蚀酸、催化剂以及附加剂，所述腐蚀酸包括氢氟酸、硝酸、冰醋酸、硫酸中的至少之一，所述催化剂为亚硝酸钠，所述附加剂为溴。 4.根据权利要求2所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述切割线的直径为10μm～200μm。 5.根据权利要求1所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述对所述硅片进行倒角加工的步骤包括：将硅片放置于旋转台上做自转运动；控制磨轮做自转运动的同时使所述磨轮与所述硅片的边缘进行接触。 6.根据权利要求5所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述磨轮包括圆柱段和三角锥形段，所述圆柱段包括粒度互不相同的第一研磨区和第二研磨区，所述三角锥形段包括粒度互不相同的第三研磨区和第四研磨区，所述第一研磨区、所述第二研磨区、所述第三研磨区以及所述第四研磨区沿所述磨轮的长度方向依次设置，所述控制磨轮做自转运动的同时使所述磨轮与所述硅片的边缘进行接触包括：调节所述磨轮的位置，使所述磨轮上的指定研磨区与所述硅片的边缘进行接触。 7.根据权利要求5所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述对所述硅片进行倒角加工的步骤还包括：确定磨轮的运动轨迹，其中，所述磨轮的运动轨迹包括多个，不同的运动轨迹对应硅片的不同的边缘轮廓形状；控制所述磨轮在自转的同时按照确定的运动轨迹进行运动。 8.根据权利要求1所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述对倒角加工后的硅片表面进行磨削加工的步骤包括：采用第一砂轮对硅片进行双面磨削，单面去除量为15～30μm；采用第二砂轮对硅片进行单面磨削，单面去除量为3～10μm，其中，所述第二砂轮的粒度大于所述第一砂轮的粒度。 9.根据权利要求8所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述第一砂轮为粒度为2000～8000的砂轮，所述第二砂轮为粒度为8000～30000的砂轮。 10.根据权利要求1所述的硅片成型加工方法，其特征在于，所述对磨削加工的硅片进行抛光加工的步骤包括：对硅片进行单面抛光，抛光单面去除量为5～20μm。
所属类别：	发明专利