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原文传递石英光刻化晶圆及切割技术

专利名称：	石英光刻化晶圆及切割技术
摘要：	本发明属于晶圆技术领域，尤其为石英光刻化晶圆及切割技术，包括石英晶圆本体、镂空区、切割对准线、晶片主震区、晶片主震区电极膜、晶片脚位区电极膜和晶片侧边导通电极膜，所述镂空区位于两个石英晶圆相对面的中部，所述切割对准线位于石英晶圆本体的四边，所述晶片主震区位于石英晶圆本体的表面，所述晶片主震区电极膜位于石英晶圆本体的上方，所述晶片脚位区电极膜位于晶片主震区电极膜的下方，所述晶片侧边导通电极膜位于石英晶圆镂空区的侧面；本发明，针对现有以光刻拨断的技术，本发明可避免因预留芯片镂空区与支撑区而造成原有芯片数量的减少，并有效提升30‑50％的芯片数量产出，可大幅增加芯片数量，降低成本损失。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	中国台湾;71
申请人：	李宗杰
发明人：	李宗杰
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-27T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-19T00:00:00+0800
申请号：	CN201811614266.X
公开号：	CN110027123A
代理机构：	深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人：	曾敬
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	中国台湾台北市文山区景华街22巷6之4号6楼
主权项：	1.石英光刻化晶圆，包括石英晶圆(7)本体、镂空区(6)、切割对准线(1)、晶片主震区(2)、晶片主震区电极膜(3)、晶片脚位区电极膜(4)和晶片侧边导通电极膜(5)，其特征在于：所述镂空区(6)位于两个石英晶圆(7)相对面的中部，所述切割对准线(1)位于石英晶圆(7)本体的四边，所述晶片主震区(2)位于石英晶圆(7)本体的表面，所述晶片主震区电极膜(3)位于石英晶圆(7)本体的上方，所述晶片脚位区电极膜(4)位于晶片主震区电极膜(3)的下方，所述晶片侧边导通电极膜(5)位于石英晶圆(7)镂空区(6)的侧面，所述晶片脚位区电极膜(4)与晶片主震区电极膜(3)、晶片侧边导通电极膜(5)相连接。 2.石英光刻化晶圆切割技术，其特征在于：所述石英光刻化晶圆切割包括以下几个步骤： S1、镀膜，首先将晶圆采用镀上金属薄膜； S2、曝光显影，接上光阻通过控制遮光物的位置可以得到镂空区(6)的外形； S3、去除金属，将镂空区(6)的金属去除，晶圆表面金属镀层在芯片和街区上的部分按照电路图形被除去； S4、穿孔，对镂空区(6)结构进行贯穿打孔，并移除光阻； S5、去除主振荡区结构的金属，再次上光阻后进行曝光显影，将主振荡区结构的金属去除； S6、进行主振荡区结构的蚀刻； S7、移除光阻与金属； S8、重新镀上金属膜； S9、上光阻后再次进行曝光显影； S10、将晶圆上无光阻遮蔽的金属进行移除，即完成石英芯片的电极； S11、将已光刻化的石英晶圆(7)进行切割。 3.根据权利要求2所述的石英光刻化晶圆切割技术，其特征在于：所述S4蚀刻和S5去除主振荡区结构的金属的步骤中，主要是透过石英元件能量闭锁原理，将振荡区能量利用光刻技术做成特殊结构封锁在主面结构中。 4.根据权利要求2所述的石英光刻化晶圆切割技术，其特征在于：所述镂空区(6)设置在远离主振区的一侧。 5.根据权利要求2所述的石英光刻化晶圆切割技术，其特征在于：所述镂空区(6)的蚀刻精度低于所述主振区的蚀刻精度。 6.根据权利要求2所述的石英光刻化晶圆切割技术，其特征在于：所述S8重新镀上金属膜、S9上光阻后再次进行曝光显影及S10将晶圆上无光阻遮蔽的金属进行移除的步骤中，再镀膜以光刻技术做出电极面与侧边导通电极，然后进行切割。
所属类别：	发明专利