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原文传递一体化晶圆切割刀及晶圆切割方法

专利名称：	一体化晶圆切割刀及晶圆切割方法
摘要：	本发明实施例公开了一种一体化晶圆切割刀，包括：刀架、第一刀片和第二刀片。第一刀片固定设置在刀架上，第二刀片固定设置在第一刀片上，第一刀片和第二刀片均呈圆环柱体，且同心。通过对晶圆切割刀进行设计，设计一体化晶圆切割刀，将原本需要两把刀片两次切割的作业模式，优化成一把一体化切割刀进行一次切割，就可以完成晶圆的开槽及分离作业。本发明实施例还公开了一种晶圆的切割方法，利用了本发明设计的一体化晶圆切割刀，使得划片机的使用效率提高。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	紫光宏茂微电子(上海)有限公司
发明人：	沈珏玮
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-26T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-05T00:00:00+0800
申请号：	CN201910234010.4
公开号：	CN109968552A
代理机构：	上海市嘉华律师事务所
代理人：	黄琮;傅云
分类号：	B28D5/02(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	201700 上海市青浦区工业园区崧泽大道9688号
主权项：	1.一种一体化晶圆切割刀，其特征在于，包括：刀架、第一刀片和第二刀片；所述刀架设有刀架安装部；所述刀架安装部用于将所述刀架安装于晶圆切割机上；所述第一刀片固定设置在所述刀架上；所述第二刀片固定设置在所述第一刀片上；所述第一刀片和所述第二刀片均呈圆环柱体，且同心；所述第一刀片的柱高大于所述第二刀片的柱高，所述第一刀片的外径小于所述第二刀片的外径；且所述第一刀片和所述第二刀片的截面呈凸字形。 2.根据权利要求1所述的一体化晶圆切割刀，其特征在于，所述第一刀片包括：第一连接部、第一基体层和两个第一切割层；所述第一连接部与所述刀架通过粘结剂固定连接，所述第一基体层和所述两个第一切割层均位于所述第一连接部的外层；所述两个第一切割层分别位于所述第一刀片轴向的两端；所述第一基体层位于所述两个第一切割层的中间。 3.根据权利要求2所述的一体化晶圆切割刀，其特征在于，所述第二刀片包括：第二连接部、第二基体层和第二切割层；所述第二连接部与所述第一基体层通过粘结剂固定连接；所述第二基体层位于所述第二连接部的外层，所述第二切割层位于所述第二基体层的外层。 4.根据权利要求3所述的一体化晶圆切割刀，其特征在于，所述第一基体层和所述第二基体层由不锈钢、镍或镍合金制成；所述第一切割层和所述第二切割层由金刚石制成。 5.根据权利要求3所述的一体化晶圆切割刀，其特征在于，所述刀架由铝或铝合金制成。 6.根据权利要求3所述的一体化晶圆切割刀，其特征在于，所述第一切割层的厚度为20μm～30μm；所述第二切割层的厚度为10μm～15μm。 7.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤： S1提供晶圆，所述晶圆的上表面设有多条纵向预切痕和多条横向预切痕，所述多条纵向预切痕在晶圆上呈等间隔布置，所述多条横向预切痕在晶圆上呈等间隔布置，使所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕呈井字形交错，交错围成多个芯片； S2在所述晶圆的正面上贴附研磨胶膜层； S3对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨减薄； S4在研磨后的晶圆的背面上贴附胶膜层，并通过所述胶膜层将研磨后的晶圆固定于晶圆架上； S5去除固定于晶圆架上晶圆正面上的研磨胶膜层； S6利用如权利要求1至6中任意一项所述的一体化晶圆切割刀分别沿所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕进行切割，使芯片从晶圆上分离。 8.根据权利要求7所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述S6步骤中，具体包括：利用一体化晶圆切割刀依次沿多条纵向预切痕对晶圆进行切割，所述第一刀片切割晶圆形成第一纵向刀痕，所述第二刀片切割晶圆形成第二纵向刀痕；所述第一纵向刀痕与晶圆厚度的比值为0.45～0.55；所述第二纵向刀痕贯穿晶圆并到达胶膜层，所述第二纵向刀痕到达胶膜层的深度与胶膜层厚度的比值为0.30～0.40；将一体化晶圆切割刀旋转90°，依次沿多条横向预切痕对晶圆进行切割；所述第一刀片切割晶圆形成第一横向刀痕，所述第二刀片切割晶圆形成第二横向刀痕；所述第一横向刀痕与晶圆厚度的比值为0.45～0.55；所述第二横向刀痕贯穿晶圆并到达胶膜层，所述第二横向刀痕到达胶膜层的深度与胶膜层厚度的比值为0.30～0.40。
所属类别：	发明专利