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原文传递半导体结构的检测方法及检测装置

专利名称：	半导体结构的检测方法及检测装置
摘要：	本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的检测方法及检测装置。所述半导体结构的检测方法包括如下步骤：提供一待测样品，所述待测样品中具有一待测键合界面；固定所述待测样品于第一基板中，使得至少所述待测样品中的所述待测键合界面暴露于所述第一基板表面；施加剪切应力于暴露的所述待测样品的侧面，获取所述待测键合界面在所述剪切应力作用下的界面信息。本发明填补了晶圆键合强度受剪切应力影响的实验空白，缩短了对键合界面键合程度检测的时间，且提高了检测结果的可靠性和准确性，为改善半导体结构的性能提供了重要参考。
专利类型：	发明专利
申请人：	长江存储科技有限责任公司
发明人：	黄翔;刘丽娟;王许辉;锁志勇
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T10:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
申请号：	CN202010026301.7
公开号：	CN111208018A
代理机构：	上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	董琳;陈丽丽
分类号：	G01N3/24;G;G01;G01N;G01N3;G01N3/24
申请人地址：	430074 湖北省武汉市洪山区东湖新技术开发区未来三路88号
主权项：	1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一待测样品，所述待测样品中具有一待测键合界面；固定所述待测样品于第一基板中，使得至少所述待测样品中的所述待测键合界面暴露于所述第一基板表面；施加剪切应力于暴露的所述待测样品的侧面，获取所述待测键合界面在所述剪切应力作用下的界面信息。 2.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，提供一待测样品的具体步骤包括：形成一半导体结构，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底一侧的键合界面；分割所述半导体结构为多个所述待测样品、并分割所述键合界面为多个所述待测键合界面。 3.根据权利要求2所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，分割所述半导体结构为多个所述待测样品的具体步骤包括：沿垂直于所述衬底的方向切割所述半导体结构为多个所述待测样品。 4.根据权利要求3所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，分割所述半导体结构为多个所述待测样品的具体步骤包括：连接所述半导体结构与一第二基板，所述第二基板与所述衬底位于所述键合界面的相对两侧；沿垂直于所述衬底的方向切割所述半导体结构与所述第二基板，形成多个所述待测样品以及与多个所述待测样品一一连接的多个第二子基板。 5.根据权利要求4所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，固定所述待测样品于第一基板中的具体步骤包括：提供一第一基板，所述第一基板中具有多个凹槽；一一固定多个所述第二子基板于多个所述凹槽内，使得所述待测样品整体暴露于所述第一基板表面。 6.根据权利要求5所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述凹槽的宽度与所述第二子基板的宽度相等；一一固定多个所述第二子基板于多个所述凹槽内的具体步骤包括：一一粘结多个所述第二子基板于多个所述凹槽内。 7.根据权利要求2所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，获取所述待测键合界面在所述剪切应力作用下的界面信息的具体步骤包括：依次施加逐渐增大的多个所述剪切应力于一暴露的所述待测样品的侧面，直至所述待测键合界面失效，并以所述待测键合界面失效时所对应的剪切应力作为目标剪切应力。 8.根据权利要求7所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，获取所述待测键合界面在所述剪切应力作用下的界面信息的具体步骤包括：分别获取与多个所述待测键合界面一一对应的多个所述目标剪切应力；根据多个所述目标剪切应力获取所述键合界面中多个区域的键合强度。 9.一种半导体结构的检测装置，其特征在于，包括：第一基板，用于承载并固定一待测样品，并使得至少所述待测样品中的待测键合界面暴露于所述第一基板表面；检测组件，用于在施加剪切应力于暴露的所述待测样品的侧面时，获取所述待测键合界面在所述剪切应力作用下的界面信息。 10.根据权利要求9所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，还包括：分割组件，用于将一半导体结构分割为多个所述待测样品，并将所述半导体结构中的键合界面分割为多个所述待测键合界面。 11.根据权利要求10所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述半导体结构包括衬底，所述键合界面位于所述衬底的一侧；所述分割组件包括切割线，所述切割线用于沿垂直于所述衬底的方向切割所述半导体结构为多个所述待测样品。 12.根据权利要求11所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述分割组件还包括：连接单元，用于连接所述半导体结构与一第二基板，所述第二基板与所述衬底位于所述键合界面的相对两侧；所述切割线用于沿垂直于所述衬底的方向切割所述半导体结构与所述第二基板，形成多个所述待测样品以及与多个所述待测样品一一连接的多个第二子基板。 13.根据权利要求12所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述第一基板中具有多个凹槽，多个所述凹槽用于一一固定多个所述第二子基板，使得所述待测样品整体暴露于所述第一基板表面。 14.根据权利要求13所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述凹槽的宽度与所述第二子基板的宽度相等；所述凹槽内壁具有粘合剂，用于粘结所述第二子基板。 15.根据权利要求10所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述检测组件包括：施力单元，用于依次施加逐渐增大的多个所述剪切应力于一暴露的所述待测样品的侧面，直至所述待测键合界面失效，并以所述待测键合界面失效时所对应的剪切应力作为目标剪切应力。 16.根据权利要求15所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述检测组件还包括：分析单元，用于分别获取与多个所述待测键合界面一一对应的多个所述目标剪切应力，并根据多个所述目标剪切应力获取所述键合界面中多个区域的键合强度。
所属类别：	发明专利