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原文传递晶圆缺陷分析方法与系统、晶圆良率分析方法与系统

专利名称：	晶圆缺陷分析方法与系统、晶圆良率分析方法与系统
摘要：	本发明提供了一种晶圆缺陷分析方法与系统、晶圆良率分析方法与系统以及计算机存储介质，根据已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度，计算获得待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量，并将其与待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率进行计算，以获得待分析晶圆的良率。本发明的技术方案能够快速且准确地对同一工艺技术下的具有不同存储量的待分析晶圆的良率进行预估，不用耗费大量的时间进行新产品的试生产且不需要耗费大量的人力进行新产品的良率统计即可获得新产品的良率情况，节省了时间和人力，进而降低了成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人：	贾洋;奉伟;周伦潮;冯巍
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-23T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201910786418.2
公开号：	CN110456003A
代理机构：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	曹廷廷
分类号：	G01N33/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
主权项：	1.一种晶圆缺陷分析方法，其特征在于，包括：提供一晶圆缺陷扫描系统；根据所述晶圆缺陷扫描系统，获取已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度；以及，根据所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度，获取待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量；其中，所述待分析晶圆与所述已有晶圆为同一工艺技术下生产的具有不同存储量的晶圆。 2.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述晶圆缺陷扫描系统包含所述已有晶圆的每个区域的区域面积，获取所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度的步骤包括：通过所述晶圆缺陷扫描系统扫描所述已有晶圆的表面，以获得所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量；以及，将所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量除以所述已有晶圆的每个区域的区域面积，以获得所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度。 3.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，获取所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量的步骤包括：将所述待分析晶圆的每个区域的区域面积录入所述晶圆缺陷扫描系统；以及，将所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度乘以所述待分析晶圆的每个区域的区域面积，以获得所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量。 4.一种晶圆缺陷分析系统，其特征在于，包括：第一获取单元，用于根据一晶圆缺陷扫描系统，获取已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度；以及，第二获取单元，用于根据所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度，获取待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量；其中，所述待分析晶圆与所述已有晶圆为同一工艺技术下生产的具有不同存储量的晶圆。 5.如权利要求4所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述晶圆缺陷扫描系统包含所述已有晶圆的每个区域的区域面积，所述第一获取单元包括：缺陷数量获取模块，用于通过所述晶圆缺陷扫描系统扫描所述已有晶圆的表面，以获得所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量；以及，缺陷密度计算模块，用于将所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量除以所述已有晶圆的每个区域的区域面积，以获得所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度。 6.如权利要求4所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述第二获取单元包括：录入模块，用于将所述待分析晶圆的每个区域的区域面积录入所述晶圆缺陷扫描系统；以及，缺陷数量计算模块，用于将所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度乘以所述待分析晶圆的每个区域的区域面积，以获得所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量。 7.一种晶圆良率分析方法，其特征在于，包括：采用权利要求1至3中任一项所述的晶圆缺陷分析方法获取待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量；获取所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率；以及，根据所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量和致命缺陷率进行计算，以获得所述待分析晶圆的良率。 8.如权利要求7所述的晶圆良率分析方法，其特征在于，所述晶圆缺陷扫描系统包含已有晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率，所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率与所述已有晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率相同。 9.如权利要求7所述的晶圆良率分析方法，其特征在于，所述待分析晶圆包含阵列排布的芯片，获得所述待分析晶圆的良率的步骤包括：将所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量乘以对应的所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率，并将相乘结果相加，以获得所述待分析晶圆的所有致命缺陷数量；以及，将所述待分析晶圆的所有致命缺陷数量除以所述待分析晶圆上的所述芯片的数量，并采用100％减去相除结果，以获得所述待分析晶圆的良率。 10.一种晶圆良率分析系统，其特征在于，包括：权利要求4至6中任一项所述的晶圆缺陷分析系统，用于获取待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量；致命缺陷率获取单元，用于获取所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率；以及，良率获取单元，用于根据所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量和致命缺陷率进行计算，以获得所述待分析晶圆的良率。 11.如权利要求10所述的晶圆良率分析系统，其特征在于，所述待分析晶圆包含阵列排布的芯片，所述良率获取单元包括：致命缺陷数量计算模块，用于将所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量乘以对应的所述待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率，并将相乘结果相加，以获得所述待分析晶圆的所有致命缺陷数量；良率计算模块，用于将所述待分析晶圆的所有致命缺陷数量除以所述待分析晶圆上的所述芯片的数量，并采用100％减去相除结果，以获得所述待分析晶圆的良率。 12.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被一处理器执行时能实现权利要求1至3中任一项所述的晶圆缺陷分析方法，或者，能实现权利要求7至9中任一项所述的晶圆良率分析方法。
所属类别：	发明专利