专利名称: |
一种晶圆缺陷扫描方法及系统 |
摘要: |
本发明提供一种晶圆缺陷扫描方法及系统,包括:获取晶圆的表面形貌信息,并将晶粒所在区域设定为扫描区域,将切割道所在区域设定为非扫描区域;利用一检测光束逐个对所述扫描区域进行缺陷扫描,扫描每个所述扫描区域时,所述检测光束逐行/逐列对所述扫描区域进行扫描,当扫描到所述扫描区域的最后一行/列时,所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘与所述扫描区域的边缘对齐。改变最后以行/列的所述检测光束的位置,从根本上避免了所述检测光束照射到所述非检测区域,进而避免所述非检测区域的散射光噪声的引入对晶圆缺陷扫描的结果造成影响,提高所述晶圆缺陷扫描结果的精准性。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
上海华力微电子有限公司 |
发明人: |
陈超;许向辉 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2021-11-29T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2022-03-08T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN202111448042.8 |
公开号: |
CN114152631A |
代理机构: |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
周耀君 |
分类号: |
G01N21/95;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/95 |
申请人地址: |
201315 上海市浦东新区良腾路6号 |
主权项: |
1.一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,包括: 获取晶圆的表面形貌信息,并将晶粒所在区域设定为扫描区域,将切割道所在区域设定为非扫描区域; 利用一检测光束逐个对所述扫描区域进行晶圆缺陷扫描,扫描每个所述扫描区域时,在沿扫描方向及垂直于扫描方向上,所述检测光束的宽度均小于所述扫描区域的宽度,所述检测光束逐行/逐列对所述扫描区域进行扫描,当扫描到所述扫描区域的最后一行/列时,所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘与所述扫描区域的边缘对齐。 2.如权利要求1所述的一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,当所述检测光束扫描到所述扫描区域的最后一行/列之前,判断所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘是否会超出所述扫描区域的边缘,若是,则沿背离所述扫描方向的方向移动所述检测光束,直至所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘与所述扫描区域的边缘对齐。 3.如权利要求2所述的一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,对所述扫描区域进行晶圆缺陷扫描的步骤还包括: 扫描所述扫描区域的最后一行/列时,若最后一行/列的所述检测光束的扫描范围与倒数第二行/列的所述检测光束的扫描范围具有重叠时,抛弃重叠的扫描范围上的晶圆缺陷扫描结果。 4.如权利要求2所述的一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,每个所述扫描区域均完成晶圆缺陷扫描之后,还包括: 将每个所述扫描区域的晶圆缺陷扫描结果与标准结果进行对比,若所述扫描区域内某一位置上的灰度值与所述标准结果的对应位置的灰度值之差大于设定阈值,则对该位置进行缺陷标记。 5.如权利要求4所述的一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,所述标准结果的每个位置上的灰度值为与所述扫描区域相邻的多个所述扫描区域内同一位置上的灰度值的平均值。 6.如权利要求1所述的一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,获取所述晶圆的表面形貌信息的步骤包括: 在所述晶圆表面建立以所述晶粒相互垂直的两边为坐标轴方向的坐标系; 获取所述晶圆表面的所述晶粒和所述切割道的分布情况及尺寸数据。 7.如权利要求6所述的一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,所述晶圆上的表面形貌信息通过光学电子显微镜、扫描电子显微镜或聚焦粒子束扫描设备获取。 8.如权利要求1所述的一种晶圆缺陷扫描方法,其特征在于,通过光阑调整所述检测光束的沿扫描方向上的宽度。 9.一种晶圆缺陷扫描系统,其特征在于,包括: 形貌信息获取模块,用于获取晶圆的表面形貌信息,并将晶粒所在区域设定为扫描区域,将切割道所在区域设定为非扫描区域; 光源模块,用于提供检测光束,并利用所述检测光束逐个对所述扫描区域进行晶圆缺陷扫描,扫描每个所述扫描区域时,在沿扫描方向及垂直于扫描方向上,所述检测光束的宽度均小于所述扫描区域的宽度,所述检测光束逐行/逐列对所述扫描区域进行扫描,当扫描到所述扫描区域的最后一行/列时,所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘与所述扫描区域的边缘对齐。 10.如权利要求9所述的一种晶圆缺陷扫描系统,其特征在于,所述晶圆缺陷扫描系统还包括: 晶圆缺陷对比模块,用于将每个所述扫描区域的晶圆缺陷扫描结果与标准结果进行对比,若所述扫描区域内某一位置上的灰度值与所述标准结果的对应位置的灰度值之差大于设定阈值,则对该位置进行缺陷标记,其中,所述标准结果的每个位置上的灰度值为与所述扫描区域相邻的多个所述扫描区域内同一位置上的灰度值的平均值。 |
所属类别: |
发明专利 |