原文传递
改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法
| 专利名称： | 改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法 |
| 摘要： | 本发明公开一种改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法，包括以下步骤：(1)将晶锭的主定位边均匀涂抹胶层，所述胶层覆盖主定位边；(2)将晶锭粘在石墨工装上；(3)将所述石墨工装连同晶锭安装于线切割机的加工平台上，进行线切割加工，得到晶片；(4)对晶片进行双面研磨、抛光加工；(5)将涂抹在晶片主定位边垂直面及上沿处的胶层去除。本发明解决现有晶片加工过程中保护主定位边的问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 发明人： | 李雪峰;赵有文 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-12-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-28T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811645580.4 |
| 公开号： | CN109808085A |
| 代理机构： | 广东朗乾律师事务所 |
| 代理人： | 闫有幸;杨焕军 |
| 分类号： | B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
| 申请人地址： | 519000 广东省珠海市香洲区高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房 |
| 主权项： | 1.一种改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)将晶锭的主定位边均匀涂抹胶层，所述胶层覆盖主定位边； (2)将晶锭粘在石墨工装上； (3)将所述石墨工装连同晶锭安装于线切割机的加工平台上，进行线切割加工，得到晶片； (4)对晶片进行双面研磨、抛光加工； (5)将涂抹在晶片主定位边垂直面及上沿处的胶层去除。 2.根据权利要求1所述的改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法，其特征在于，所述胶层由两液混合硬化胶制成，两液混合硬化胶中的本胶和硬化剂的质量比为2∶1。 3.根据权利要求1或2所述的改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法，其特征在于，所述线切割机为多线切割机。 4.根据权利要求2所述的改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法，其特征在于，步骤(5)中，通过乙酸将所述胶层去除。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
