专利名称: |
一种晶圆劈裂装置及其方法 |
摘要: |
本发明的一种晶圆劈裂装置及其方法,该装置包括一主体,所述主体上具有夹紧装置,用于将晶圆固定在所述主体上;负压系统,用于将所述晶圆吸附在主体上,并形成密闭空间;正压系统,用于向所述晶圆与所述主体形成的密闭空间施加气体,使所述晶圆按照预先形成的切割道断开,将所述晶圆进行劈裂形成晶粒。本发明采用气体瞬间施压将晶圆劈裂为晶粒,成品率高,降低崩边现象。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
北京中科镭特电子有限公司 |
发明人: |
不公告发明人 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2017-11-30T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-06-07T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201711221347.9 |
公开号: |
CN109849201A |
分类号: |
B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
申请人地址: |
100176 北京市经济技术开发区经海四路156号院14号楼一层C区 |
主权项: |
1.一种晶圆劈裂装置,包括: 一主体,所述主体上具有夹紧装置,用于将晶圆固定在所述主体上; 负压系统,用于将所述晶圆吸附在主体上,并形成密闭空间; 正压系统,用于向所述晶圆与所述主体形成的密闭空间施加气体,使所述晶圆按照预先形成的切割道断开,将所述晶圆进行劈裂形成晶粒。 2.如权利要求1所述的晶圆劈裂装置,其特征在于:所述晶圆底面具有膜,所述膜与固定晶圆的框体相连接,所述夹紧装置夹紧所述框体,从而将所述晶圆固定在所述主体上。 3.如权利要求1所述的晶圆劈裂装置,其特征在于:所述负压系统包括吸附装置和抽气口,所述吸附装置为形成在所述主体上表面的槽,所述槽与所述抽气口相通。 4.如权利要求3所述的晶圆劈裂装置,其特征在于:所述槽沿所述主体表面环形分布,以便在所述晶圆和所述主体表面之间形成密闭空间。 5.如权利要求1所述的晶圆劈裂装置,其特征在于:所述正压系统包括施压腔室和充气口,所述施压腔室形成在所述吸附装置的内侧,以便在所述施压腔室内形成正压空间。 6.如权利要求5所述的晶圆劈裂装置,其特征在于:所述施压腔室的直径大于所述晶圆的直径。 7.如权利要求1所述的晶圆劈裂装置,其特征在于:所述晶圆具有表切切割道或内部切割道。 8.一种晶圆劈裂方法,其具体步骤包括: a、将切割好的晶圆底面贴膜,连在框体上; b、将带膜的晶圆放置在晶圆劈裂装置的主体上,通过夹紧装置夹紧所述框体,将所述晶圆固定在所述主体上; c、打开负压系统,对吸附装置进行抽气,使晶圆底面的膜紧贴在所述主体上,实现真空吸附; d、打开正压系统,由充气口向施压腔室瞬间冲入设定压力的气体,产生的气体压力均与分布在所述晶圆的背面; e、降低负压系统并关闭正压系统,使所述施压腔室内达到常压时,关闭负压系统,松开夹紧装置,晶圆劈裂完成。 9.如权利要求8所述的晶圆劈裂方法,其特征在于:所述施压腔室的直径大于晶圆的直径。 |
所属类别: |
发明专利 |